在高功率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET的選擇直接關(guān)系到系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。英飛凌最新推出的650V CoolMOS? 8超結(jié)（SJ）MOSFET系列，為工業(yè)、通信及電動(dòng)汽車(chē)充電等高壓應(yīng)用場(chǎng)景提供了全新一代功率器件解決方案，不僅繼承了前代產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還在性能、封裝和系統(tǒng)兼容性方面實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)優(yōu)化。代理銷(xiāo)售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹CoolMOS? 8系列：技術(shù)亮點(diǎn)、可選型號(hào)及應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)亮點(diǎn)解析

CoolMOS? 8系列基于先進(jìn)的超結(jié)結(jié)構(gòu)技術(shù)，具備**業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) × 面積（RDS(on)A）指標(biāo)*，顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效。該系列產(chǎn)品提供從8mΩ到60mΩ的多種導(dǎo)通電阻選項(xiàng)，滿足不同功率等級(jí)需求，尤其適用于高頻、高效率拓?fù)淙鏛LC諧振轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC等。

一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)增強(qiáng)在于其集成快速體二極管，大幅改善反向恢復(fù)特性（Qrr），并縮短反向恢復(fù)時(shí)間（trr），相較競(jìng)品平均減少35%。這一改進(jìn)有助于抑制開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓振鈴，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，特別適合于需要頻繁換向的應(yīng)用場(chǎng)景，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)或固態(tài)斷路器（SSCB）。

此外，CoolMOS? 8采用了先進(jìn)互連技術(shù)和頂部散熱封裝（如QDPAK），有效提升熱管理能力，使器件在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，頂部散熱設(shè)計(jì)也有助于簡(jiǎn)化PCB布局，提高模塊化設(shè)計(jì)靈活性。

系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值

相較于上一代CoolMOS? 7系列（包括C7和CFD7），CoolMOS? 8在多個(gè)維度實(shí)現(xiàn)性能躍升：

更高的電壓裕量：650V耐壓可支持277V AC輸入，滿足數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、電信整流器等對(duì)寬電壓范圍的需求；

更強(qiáng)的抗浪涌能力：適用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁等存在瞬態(tài)高壓沖擊的場(chǎng)合；

低振鈴特性：減少EMI濾波器設(shè)計(jì)復(fù)雜度，加快產(chǎn)品上市周期；

全面封裝選項(xiàng)：涵蓋TO-247、TO-220、QDPAK等多種封裝形式，適配廣泛的應(yīng)用平臺(tái)；

完整的產(chǎn)品組合：包括IPW、IPT、IPDQ、IPZA等多個(gè)型號(hào)，便于工程師根據(jù)功率密度、散熱方式和成本進(jìn)行靈活選型。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛覆蓋

CoolMOS? 8系列適用于以下典型高壓高功率應(yīng)用：

數(shù)據(jù)中心與UPS系統(tǒng)：高效服務(wù)器電源、不間斷電源；

通信設(shè)備電源：滿足277V AC輸入要求；

固態(tài)繼電器/斷路器：利用其優(yōu)異的反向恢復(fù)特性和高耐用性；

電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)：支持更高輸入電壓和更嚴(yán)苛的浪涌保護(hù)需求；

工業(yè)SMPS：高頻開(kāi)關(guān)電源、逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)器等。

CoolMOS? 8系列可選型號(hào)

IPDQ65R008CM8

IPDQ65R018CM8

IPT65R018CM8

IPT65R025CM8

IPT65R040CM8

IPW65R018CM8

IPW65R025CM8

IPW65R040CM8

IPW65R060CM8

IPZA65R018CM8

IPZA65R025CM8

IPZA65R040CM

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