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英飛凌推出D2PAK-7封裝CoolSiC MOSFET,650V G2系列全面升級

來源:英飛凌| 發(fā)布日期:2025-07-02 14:37:24 瀏覽量:

近日,英飛凌宣布推出采用D2PAK-7(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品線,涵蓋從7mΩ到75mΩ共10款型號,進一步豐富其在中功率應用中的器件選擇。該系列產(chǎn)品基于第一代CoolSiC技術優(yōu)化升級,在性能與可靠性方面實現(xiàn)多項突破。憑借優(yōu)異的品質因數(shù)(FOMs)、業(yè)界領先的導通電阻RDS(on) 和高抗誤開啟能力,G2系列適用于包括AC-DC、DC-DC和DC-AC在內(nèi)的多種功率拓撲結構,可廣泛應用于儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏逆變器及工業(yè)電源等領域。買到真正的英飛凌原裝貨 - 來自全球授權的Infineon代理商、原廠貨源 - 深圳市中芯巨能電子有限公司為您介紹該系列:產(chǎn)品特點、可選型號及應用領域。

性能亮點一覽

寬泛驅動電壓范圍:支持單極性驅動(VGS(off)=0),簡化柵極驅動設計;

低導通損耗:提供7mΩ至75mΩ多檔RDS(on)選項,滿足不同效率與成本需求;

增強型可靠性:引入先進的.XT擴散焊接技術,提升熱穩(wěn)定性和長期耐久性;

高效散熱設計:D2PAK-7封裝具備優(yōu)良的熱管理能力,有助于實現(xiàn)無風扇或免散熱器設計;

兼容性強:引腳與現(xiàn)有主流供應商器件兼容,便于客戶快速導入并優(yōu)化BOM成本。

英飛凌推出D2PAK-7封裝CoolSiC MOSFET,650V G2系列全面升級

主要型號覆蓋主流需求

此次推出的G2系列包含以下關鍵型號:

IMBG65R010M2HXTMA1(10mΩ)

IMBG65R026M2HXTMA1(26mΩ)

IMBG65R033M2HXTMA1(33mΩ)

IMBG65R060M2HXTMA1(60mΩ)

如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

面向未來應用,打造高性價比解決方案

隨著新能源、電動車和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展,市場對高效、緊湊、可靠的功率器件需求持續(xù)上升。英飛凌全新CoolSiC? 650V G2系列不僅延續(xù)了SiC技術在開關損耗和熱性能方面的優(yōu)勢,更通過D2PAK-7封裝形式提升了易用性和集成度,為工程師提供了更具性價比的設計路徑。

此外,該系列產(chǎn)品已實現(xiàn)與現(xiàn)有生態(tài)系統(tǒng)的全面兼容,支持用戶快速完成方案迭代與量產(chǎn)部署,適用于:

單相組串式光伏逆變器

儲能系統(tǒng)(ESS)

電動汽車充電樁

高效服務器/通信電源

固態(tài)斷路器等新興應用

英飛凌CoolSiC? 650V G2系列的推出,標志著其在碳化硅功率器件領域的又一次重要升級。通過先進封裝工藝、優(yōu)化電氣性能與廣泛的適用性,該系列產(chǎn)品將為下一代高效能電力電子系統(tǒng)提供堅實支撐,加速推動清潔能源和電動化轉型進程。

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