近日，英飛凌宣布其第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET系列新增兩款采用ThinTOLL 8x8封裝的型號(hào)——導(dǎo)通電阻分別為26mΩ和33mΩ的器件，型號(hào)分別是：IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H。此次發(fā)布進(jìn)一步完善了該系列產(chǎn)品在RDS(on)覆蓋范圍上的布局，現(xiàn)已涵蓋20mΩ至60mΩ區(qū)間，為設(shè)計(jì)工程師提供更靈活、更精細(xì)的選型方案。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您新品產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域。

創(chuàng)新封裝技術(shù)，釋放SiC性能潛力

作為一款標(biāo)準(zhǔn)8x8尺寸的封裝形式，ThinTOLL專為充分發(fā)揮CoolSiC G2芯片的高性能而設(shè)計(jì)。該封裝采用了先進(jìn)的.XT擴(kuò)散焊互連技術(shù)，在不增加體積的前提下顯著降低了熱阻，突破了傳統(tǒng)8x8封裝在熱循環(huán)方面的限制，使器件在高功率密度應(yīng)用中仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。

此外，ThinTOLL封裝還實(shí)現(xiàn)了引腳兼容性設(shè)計(jì)，支持全系列8x8封裝FET的直接替換，有助于簡(jiǎn)化PCB布局與系統(tǒng)升級(jí)。熱循環(huán)可靠性（TCoB）提升達(dá)4倍，顯著增強(qiáng)了器件在復(fù)雜工況下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性與耐用性。

性能亮點(diǎn)：低導(dǎo)通損耗 + 高驅(qū)動(dòng)靈活性

新款CoolSiC 650V G2 MOSFET延續(xù)了該系列在品質(zhì)因數(shù)（FOMs）方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，具備行業(yè)領(lǐng)先的RDS(on)表現(xiàn)，并支持寬范圍的驅(qū)動(dòng)電壓操作，包括單極驅(qū)動(dòng)模式（VGS(off)=0），從而降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗，提高系統(tǒng)效率。

這些特性使得器件不僅能在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，還能有效減少散熱需求，提升整體能效與功率密度，是實(shí)現(xiàn)高效能電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵元件。

應(yīng)用廣泛，助力多領(lǐng)域能效升級(jí)

憑借其優(yōu)異的電氣性能與緊湊封裝，新款CoolSiC MOSFET適用于多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：

智能電視電源：滿足更高能效與空間利用率需求；

暖通空調(diào)與家電：提升變頻控制系統(tǒng)的效率與可靠性；

微型逆變器：適配光伏能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的高密度設(shè)計(jì)；

電能轉(zhuǎn)換設(shè)備：優(yōu)化服務(wù)器電源、通信電源等領(lǐng)域的能效表現(xiàn)。

隨著全球?qū)δ茉葱逝c可持續(xù)發(fā)展的重視不斷提升，碳化硅功率器件正逐步成為高性能電源系統(tǒng)的核心選擇。英飛凌此次推出的ThinTOLL封裝CoolSiC MOSFET，不僅豐富了其SiC產(chǎn)品生態(tài)，也為工業(yè)、消費(fèi)類及新能源應(yīng)用提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。如需IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。