隨著全球向2035年零排放目標(biāo)邁進(jìn)，電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)正經(jīng)歷著前所未有的轉(zhuǎn)型。為了吸引消費(fèi)者并滿足市場(chǎng)需求，EV不僅需要具備長(zhǎng)續(xù)航里程、快速充電能力，還需保持經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。在此背景下，碳化硅(SiC)半導(dǎo)體技術(shù)，特別是SiC MOSFET器件，作為提升電力電子性能的關(guān)鍵，正在引領(lǐng)這一變革。

SiC MOSFET：超越傳統(tǒng)硅器件的優(yōu)越性能

在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET相較于傳統(tǒng)的硅基器件，展示了更高的能效、更快的開關(guān)速度和更低的熱損耗。這使得主驅(qū)逆變器和車載充電器(OBC)能夠在保持高能效的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)更為緊湊的設(shè)計(jì)，從而減輕整車重量，提高空間利用率。安森美(onsemi)推出的EliteSiC MOSFET系列，通過不斷的技術(shù)演進(jìn)，從M1到M3S技術(shù)，逐步提升了單位面積內(nèi)的電流密度和整體性能。

提升電動(dòng)汽車性能的核心技術(shù)

SiC MOSFET逐漸取代了Si MOSFET、二極管和IGBT，在電動(dòng)汽車的關(guān)鍵應(yīng)用中占據(jù)了重要位置。盡管IGBT由于成本優(yōu)勢(shì)仍廣泛應(yīng)用于中低端EV，但SiC MOSFET憑借其更高的開關(guān)頻率，降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升了能效，并實(shí)現(xiàn)了更高的功率和電流密度。例如，采用EliteSiC MOSFET可以構(gòu)建支持800V電池電壓的22kW OBC功率級(jí)，以及HV-LV DC-DC轉(zhuǎn)換器，將高電壓降至低壓電網(wǎng)。

主驅(qū)逆變器：市場(chǎng)增長(zhǎng)與技術(shù)革新

作為電動(dòng)汽車中的關(guān)鍵組件，主驅(qū)逆變器負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電以驅(qū)動(dòng)電機(jī)。SiC器件在此領(lǐng)域的應(yīng)用正在逐步取代傳統(tǒng)的IGBT。據(jù)IDTechEx預(yù)測(cè)，至2035年，SiC MOSFET將成為電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)的主流技術(shù)，推動(dòng)該市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到360億美元，2025至2035年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)高達(dá)17%。

柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性

要充分發(fā)揮SiC MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)，配備具有高拉電流和灌電流峰值能力的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。安森美的NCV51752單通道柵極驅(qū)動(dòng)器便是為此設(shè)計(jì)，確保SiC MOSFET的快速可靠切換。它不僅提供了必要的電壓和驅(qū)動(dòng)電流，還集成了電氣隔離、欠壓鎖定和多種故障保護(hù)機(jī)制，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的可靠性、電路穩(wěn)健性和運(yùn)行安全性。如需NCV51752產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

未來展望

隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張，SiC MOSFET和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器將在滿足消費(fèi)者期望和符合監(jiān)管要求方面發(fā)揮至關(guān)重要的作用。它們不僅提高了電動(dòng)汽車的能效和性能，還促進(jìn)了可持續(xù)交通的發(fā)展。通過這些技術(shù)創(chuàng)新，電動(dòng)汽車不僅能更好地適應(yīng)未來的能源需求，還能在全球范圍內(nèi)推動(dòng)綠色出行革命，實(shí)現(xiàn)更加環(huán)保、高效的交通解決方案。