英飛凌近日正式發(fā)布基于第五代氮化鎵（GaN）技術(shù)的CoolGaN? 650V G5功率晶體管，新增采用底部散熱設(shè)計的TOLL與DFN封裝型號。該系列產(chǎn)品在高頻、高效率電源系統(tǒng)中展現(xiàn)出卓越性能，滿足工業(yè)及消費類應(yīng)用對小型化與高可靠性的嚴苛要求。英飛凌代理授權(quán)、原廠貨源 - 深圳市中芯巨能電子有限公司為您介紹該產(chǎn)品：優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及可選型號。

新一代封裝提升熱管理能力

新推出的TOLL和DFN封裝引入底部冷卻結(jié)構(gòu)，顯著改善熱傳導(dǎo)路徑，提高器件在高功率密度環(huán)境下的散熱效率。這一設(shè)計不僅有助于降低PCB布局復(fù)雜度，還支持更高開關(guān)頻率下的穩(wěn)定運行，適用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器、USB-C充電器、光伏逆變器以及車載OBC等應(yīng)用場景。

關(guān)鍵電氣特性強化系統(tǒng)能效

CoolGaN? G5系列延續(xù)了增強型氮化鎵晶體管的核心優(yōu)勢，具備以下關(guān)鍵參數(shù)：

650V擊穿電壓，適用于主流高壓輸入場景；

超低柵極電荷（Qg）與輸出電荷（Qoss），大幅減少開關(guān)損耗；

無反向恢復(fù)電荷（Qrr），實現(xiàn)零反向恢復(fù)損耗，提升高頻工況下的效率；

支持反向?qū)Ｊ剑m用于同步整流拓撲；

動態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)極低，確保導(dǎo)通損耗最小化；

出色的換向魯棒性（commutation ruggedness），增強系統(tǒng)在硬開關(guān)條件下的穩(wěn)定性；

高ESD防護等級：2kV HBM與1kV CDM，提升裝配與現(xiàn)場使用可靠性。

此外，所有型號均已通過JEDEC標準認證（JESD47/JESD22），確保長期工作穩(wěn)定性與量產(chǎn)一致性。

型號列表覆蓋多種功率需求

本次發(fā)布的CoolGaN? G5系列包括多個型號，涵蓋不同導(dǎo)通電阻與封裝形式：

IGT65R025D2ATMA1（25mΩ，TOLL）

IGT65R035D2ATMA1（35mΩ，TOLL）

IGT65R045D2ATMA1（45mΩ，TOLL）

IGT65R055D2ATMA1（55mΩ，TOLL）

IGT65R140D2ATMA1（140mΩ，TOLL）

IGLD65R055D2AUMA1（55mΩ，DFN）

IGLD65R080D2AUMA1（80mΩ，DFN）

IGLD65R110D2AUMA1（110mΩ，DFN）

IGLD65R140D2AUMA1（140mΩ，DFN）

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應(yīng)用價值與系統(tǒng)優(yōu)勢

CoolGaN? G5系列憑借其優(yōu)異的開關(guān)性能與熱管理能力，在以下方面為工程師帶來顯著優(yōu)勢：

支持高頻工作：適用于MHz級開關(guān)電源設(shè)計，減小磁性元件體積；

提升能效表現(xiàn)：減少導(dǎo)通與開關(guān)損耗，助力實現(xiàn)98%以上系統(tǒng)效率；

推動高功率密度方案落地：更小封裝+更高效率=更緊湊的電源模塊；

降低BOM成本：減少外圍元件數(shù)量，簡化驅(qū)動與散熱設(shè)計。

適用領(lǐng)域廣泛

CoolGaN? G5系列已面向多個高性能電源應(yīng)用開放：

數(shù)據(jù)中心服務(wù)器與GPU供電單元

快充適配器與USB-C PD充電器

工業(yè)電源與通信設(shè)備AC-DC模塊

光伏逆變器與儲能系統(tǒng)

電動汽車車載充電機（OBC）與快充樁