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安世半導(dǎo)體推出1200V碳化硅肖特基二極管,賦能AI服務(wù)器與新能源應(yīng)用

來源:安世半導(dǎo)體| 發(fā)布日期:2025-07-11 14:25:20 瀏覽量:

隨著人工智能、云計(jì)算和可再生能源技術(shù)的快速發(fā)展,對高效能功率器件的需求持續(xù)攀升。近日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出兩款新型1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管——PSC20120J與PSC20120L,專為工業(yè)電源系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì),適用于高功率AI服務(wù)器電源、電信設(shè)備供電系統(tǒng)以及光伏逆變器等關(guān)鍵應(yīng)用場景。代理銷售Nexperia(安世半導(dǎo)體)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹PSC20120J與PSC20120L產(chǎn)品特點(diǎn)及封裝。

安世半導(dǎo)體推出1200V碳化硅肖特基二極管

高性能碳化硅整流器件,滿足高能效需求

PSC20120J和PSC20120L基于先進(jìn)的合并PiN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu),具備出色的電熱性能,支持在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。該系列產(chǎn)品具有以下核心優(yōu)勢:

無溫度依賴的容性開關(guān)特性

零反向恢復(fù)電流(zero recovery)

優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(Qc × Vf)

開關(guān)性能不受電流及di/dt變化影響

這些特性使其在高頻、高壓變換場景中表現(xiàn)出更高的效率和更低的損耗,尤其適合追求小型化與高功率密度的設(shè)計(jì)需求。

此外,得益于其MPS結(jié)構(gòu),這兩款器件擁有出色的浪涌電流耐受能力(IFSM),大幅降低了對外部保護(hù)電路的依賴,從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),提升了整體可靠性。

封裝形式多樣,適配多種應(yīng)用場景

為了滿足不同應(yīng)用對封裝形式和安裝方式的需求,安世半導(dǎo)體分別為這兩款產(chǎn)品提供了兩種主流功率封裝選項(xiàng):

PSC20120J:采用真雙引腳D2PAK R2P(TO-263-2)表面貼裝(SMD)封裝,便于自動(dòng)化裝配,適用于高密度PCB布局。

PSC20120L:采用通孔式TO247 R2P(TO-247-2)封裝,提供更強(qiáng)的散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性,適用于大功率、高可靠性系統(tǒng)。

兩款封裝均支持高達(dá)175℃的工作溫度,確保在極端工況下的穩(wěn)定運(yùn)行,并提升長期使用的可靠性。

賦能AI服務(wù)器與綠色能源基礎(chǔ)設(shè)施

當(dāng)前,AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)以及太陽能逆變器正面臨不斷提升的功率密度和轉(zhuǎn)換效率挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基二極管在高頻高壓下存在顯著的開關(guān)損耗和溫升問題,已難以滿足新一代系統(tǒng)要求。

而PSC20120J/L系列憑借其碳化硅材料固有的寬禁帶特性,如高擊穿電壓、低導(dǎo)通壓降和優(yōu)異的熱導(dǎo)率,能夠有效降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率,并允許使用更小的磁性元件和散熱結(jié)構(gòu),推動(dòng)電源系統(tǒng)向更高集成度發(fā)展。

如需PSC20120J/L系列產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

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