在全球電氣化趨勢(shì)和人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，市場(chǎng)對(duì)高能效功率器件的需求正以前所未有的速度增長(zhǎng)。為滿足這一需求，安森美近日推出了其基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，旨在通過創(chuàng)新解決方案降低能耗及整體系統(tǒng)成本。

安森美的EliteSiC SPM 31 IPM與傳統(tǒng)的第7代場(chǎng)截止IGBT技術(shù)相比，在性能上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。該系列模塊不僅在超緊湊的封裝中提供了卓越的能效和功率密度，還成功地降低了整體系統(tǒng)的成本。此外，由于其改進(jìn)了熱性能并支持快速開關(guān)速度，使得它在三相變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出，例如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等電子換向（EC）電機(jī)領(lǐng)域。

這款新型IPM的核心亮點(diǎn)包括但不限于：首先，它采用了1200V SiC MOSFET技術(shù)，確保了超高能效和功率密度；其次，緊湊的設(shè)計(jì)讓其即便在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中也能游刃有余；再次，提供從40A到70A的多種額定電流選項(xiàng)，適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求；最后，全集成設(shè)計(jì)集成了多個(gè)關(guān)鍵組件，簡(jiǎn)化了電路板設(shè)計(jì)，縮小了尺寸。

值得一提的是，EliteSiC SPM 31 IPM在提升效能的同時(shí)，也考慮到了安全性和保護(hù)措施，如內(nèi)置欠壓保護(hù)（UVP）和獲得UL認(rèn)證等特性，進(jìn)一步增強(qiáng)了設(shè)備的安全性。這些特性使得安森美的新產(chǎn)品在追求高效能和高功率密度的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中占據(jù)了顯著優(yōu)勢(shì)。

隨著全球?qū)τ诰G色能源和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷增加，像安森美這樣的技術(shù)創(chuàng)新無疑將為行業(yè)帶來深遠(yuǎn)影響。通過不斷推出更高效、更環(huán)保的產(chǎn)品，安森美不僅助力客戶實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)，也為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步貢獻(xiàn)了自己的力量。未來，我們期待看到更多類似的技術(shù)革新，共同構(gòu)建更加綠色、高效的未來。

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