由CSE組委會(huì)與充電頭網(wǎng)聯(lián)合舉辦的2025年度第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)，將于4月24日在武漢光谷科技會(huì)展中心拉開(kāi)帷幕。此次盛會(huì)特別邀請(qǐng)了AOS SiC團(tuán)隊(duì)參與交流，其中應(yīng)用工程經(jīng)理朱禮斯先生將帶來(lái)一場(chǎng)關(guān)于《AOS第三代aSiC MOSFET使用0V關(guān)斷電壓的可行性研究》的主題演講，為參會(huì)者揭示碳化硅（SiC）材料在高效率、高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景中的最新進(jìn)展。

隨著電力電子領(lǐng)域?qū)Ω咝芙鉀Q方案的需求不斷增長(zhǎng)，SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其具備的高擊穿電場(chǎng)、優(yōu)異的熱導(dǎo)率以及高的電子飽和漂移速度等特性而受到廣泛關(guān)注。基于這些特性，SiC MOSFET不僅能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻，還支持更高的開(kāi)關(guān)頻率和更寬的工作溫度范圍，尤其適合應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源及可再生能源系統(tǒng)中那些對(duì)效率和功率密度有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。

盡管SiC MOSFET傳統(tǒng)上采用負(fù)壓進(jìn)行關(guān)斷以確保其穩(wěn)定性和可靠性，但在某些特定的應(yīng)用環(huán)境中，例如為了簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)或降低成本，可能需要考慮使用0V作為關(guān)斷電壓。針對(duì)這一需求，AOS團(tuán)隊(duì)深入研究了SiC MOSFET在0V關(guān)斷條件下的可行性，通過(guò)分析不同的應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、器件參數(shù)、驅(qū)動(dòng)波形，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，探討了如何在不犧牲性能的前提下實(shí)現(xiàn)0V關(guān)斷的技術(shù)路徑及其帶來(lái)的潛在優(yōu)勢(shì)。

AOS公司在第三代半導(dǎo)體材料尤其是SiC技術(shù)的研發(fā)方面取得了顯著成就，現(xiàn)已進(jìn)入第三代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段。目前，AOS已成功推出了多款基于αSiC技術(shù)的MOSFET產(chǎn)品，致力于進(jìn)一步拓展其產(chǎn)品線，旨在加速SiC技術(shù)在包括但不限于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源以及可再生能源領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

此次會(huì)議上，朱禮斯先生將詳細(xì)介紹AOS在探索0V關(guān)斷電壓可行性的過(guò)程中所取得的研究成果，包括具體的應(yīng)用案例和技術(shù)細(xì)節(jié)，這無(wú)疑將為業(yè)界提供寶貴的參考信息，并促進(jìn)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新。此外，會(huì)議還將設(shè)置互動(dòng)環(huán)節(jié)，鼓勵(lì)參會(huì)人員就各自關(guān)心的問(wèn)題與專家進(jìn)行面對(duì)面交流，共同探討第三代半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。