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Nexperia（安世半導(dǎo)體）最近宣布推出了行業(yè)領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，可供選擇的RDson值為30、40、60和80 mΩ。此次推出的產(chǎn)品是繼2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的新增產(chǎn)品，這將使Nexperia的SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括具有17、30、40、60和80 mΩ RDson值且封裝靈活的器件。
Nexperia此次推出的NSF0xx120D7A0產(chǎn)品針對市場對采用D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關(guān)需求不斷增長，這種開關(guān)在電動汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲能系統(tǒng)（ESS）逆變器等各種工業(yè)應(yīng)用中越來越受歡迎。這也進一步證明了Nexperia與三菱電機公司（MELCO）之間成功的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，兩家公司聯(lián)手將SiC寬帶隙半導(dǎo)體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時還提高了該技術(shù)的未來生產(chǎn)能力，以滿足不斷增長的市場需求。
RDson是SiC MOSFET的一個關(guān)鍵性能參數(shù)，因為它會影響傳導(dǎo)功率損耗。然而，許多制造商通常只關(guān)注標稱值，而忽略了一個事實，即隨著設(shè)備工作溫度的升高，RDson相比室溫下的標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的傳導(dǎo)損耗。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是目前市場上許多SiC器件性能受限的因素之一，而新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新的工藝技術(shù)特性，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDson溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDson的標稱值僅增加了38%。
另外，嚴格的閾值電壓VGS(th)規(guī)格使這些MOSFET分立器件在并聯(lián)時能夠提供平衡的載流性能。較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件的穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
2023年，Nexperia從多個角度高度關(guān)注綠色能源轉(zhuǎn)型。在公司不懈的努力下，環(huán)境、社會和治理（ESG）原則得到了進一步鞏固，為更加可持續(xù)的未來奠定了基礎(chǔ)。同時，Nexperia還取得了多項重要成就，標志著其在環(huán)保領(lǐng)域的積極探索與實踐。Nexperia發(fā)布了首份ESG報告，明確了對環(huán)境、社會和治理的承...【詳情+】
Nexperia的電壓電平轉(zhuǎn)換器采用引腳兼容封裝，提供行業(yè)標準管腳尺寸，具有較低的電壓和出色的性能。這些雙向電平轉(zhuǎn)換器適用于各種需要在多個域中轉(zhuǎn)換電壓信號的應(yīng)用，并作為不同電源和I/O電壓電平之間的接口。通過自動方向檢測，無需外部方向引腳，這些系列可與新款低電壓微處理器相匹配...【詳情+】
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