隨著工業(yè)電源、無刷直流電機(jī)（BLDC）驅(qū)動(dòng)及新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對功率密度需求的不斷提升，揚(yáng)杰科技正式推出全新的200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。該系列產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備向小型化、高頻化及高可靠性方向發(fā)展的需求而設(shè)計(jì)，旨在打破能效瓶頸，助力下一代電力系統(tǒng)的高效運(yùn)行。代理銷售揚(yáng)杰科技旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹200V MOSFET Gen2.0全系列：產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域。

核心技術(shù)特性：優(yōu)化性能與可靠性

新一代200V MOSFET基于先進(jìn)的SGT（Shielded Gate Trench）工藝制造，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(on)，確保了極佳的導(dǎo)電效率。其正溫度系數(shù)設(shè)計(jì)支持多管并聯(lián)均流，特別適合高功率應(yīng)用場合。此外，通過優(yōu)化柵電荷總量Qg，有效降低了開關(guān)過程中的振鈴現(xiàn)象，減少了體二極管反向恢復(fù)時(shí)間Trr，從而消除了反向?qū)〒p耗，進(jìn)一步提升了開關(guān)頻率下的性能表現(xiàn)。

在熱管理方面，Gen2.0系列展現(xiàn)了卓越的設(shè)計(jì)理念。例如，采用TO-247封裝的產(chǎn)品結(jié)殼熱阻RθJC≤0.5℃/W，并具備高達(dá)175℃的工作結(jié)溫上限，確保了即使在極端條件下也能保持優(yōu)異的散熱性能和溫升控制。同時(shí)，優(yōu)化后的MOS產(chǎn)品EAS能力提高了整體可靠性，所有型號均通過100% UIS測試認(rèn)證，保證了長期使用的穩(wěn)定性。

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封裝選項(xiàng)與兼容性

為了適應(yīng)多樣化的應(yīng)用場景，揚(yáng)杰科技提供了包括PDFN5060、TO-220F、TO-247-3L及TO-263在內(nèi)的多種封裝形式。這些封裝不僅符合主流工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，而且引腳定義兼容性強(qiáng)，便于工程師快速集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)方案中。

應(yīng)用場景精準(zhǔn)賦能

200V MOSFET Gen2.0系列針對不同行業(yè)的需求進(jìn)行了專門優(yōu)化：

工業(yè)電源：適用于服務(wù)器電源單元（PSU）、通信電源模塊等需要高效轉(zhuǎn)換的場合。

電機(jī)控制：電動(dòng)工具、無人機(jī)電調(diào)、變頻驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用將受益于其高效的驅(qū)動(dòng)能力和快速響應(yīng)特性。

新能源系統(tǒng)：儲(chǔ)能PCS、光伏優(yōu)化器以及車載OBC等領(lǐng)域，該系列產(chǎn)品能夠提供更高的能量轉(zhuǎn)換效率和更長的使用壽命。

自動(dòng)化設(shè)備：伺服驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)機(jī)器人電源等高端裝備亦可借助此系列產(chǎn)品的優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)更高精度的控制。

以YJG246G20H為例，作為200V N-SGT系列的一員，其性能指標(biāo)FOM相比市場上的主要競爭對手S3高出超過25%，BVDSS典型值大于220V，為設(shè)計(jì)提供了額外的安全裕度。經(jīng)過175℃下1000小時(shí)的可靠性驗(yàn)證，這款產(chǎn)品展示了卓越的耐用性和穩(wěn)定性。

全系列產(chǎn)品包括YJG246G20H、YJT011G20H、YJW012G20H、YJP012G20H、YJB011G20H以及YJG050G20H，每款產(chǎn)品都針對特定的應(yīng)用場景進(jìn)行了優(yōu)化，為客戶提供全面且靈活的選擇空間。

揚(yáng)杰科技此次推出的200V MOSFET Gen2.0系列無疑為電力電子領(lǐng)域帶來了新的活力，它不僅代表了當(dāng)前技術(shù)水平的進(jìn)步，也為未來的創(chuàng)新奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。