2025年7月3日，全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）正式推出三款新型高壓650V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），型號分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。這三款產(chǎn)品專為多千瓦級應用優(yōu)化設計，廣泛適用于AI數(shù)據(jù)中心服務器電源、800V高壓直流架構(gòu)、電動汽車充電設備、不間斷電源（UPS）、電池儲能系統(tǒng)及太陽能逆變器等高性能場景。

此次發(fā)布的第四代增強型（Gen IV Plus）GaN FET基于瑞薩收購的Transphorm公司所開發(fā)的SuperGaN?平臺打造。該平臺采用經(jīng)市場驗證的耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，在提升效率的同時確保了器件的穩(wěn)定性和易集成性。與傳統(tǒng)硅基或碳化硅（SiC）方案相比，瑞薩新一代GaN FET在導通損耗、動態(tài)電阻、柵極電荷等方面均有顯著優(yōu)化，并具備更高的4V閾值電壓，進一步提升了開關(guān)性能。

值得一提的是，新產(chǎn)品的裸片尺寸比前代縮小14%，實現(xiàn)30毫歐（mΩ）的超低導通電阻（RDS(on)），同時將導通電阻與輸出電容乘積（FOM）指標提升20%。更小的裸片不僅降低了系統(tǒng)成本，還減少了輸出電容需求，從而提升整體效率和功率密度，特別適合對散熱和空間有嚴苛要求的應用。

封裝方面，三款產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和TOLL三種選項，便于工程師根據(jù)具體應用靈活設計熱管理和PCB布局。其中，TOLT和TOLL表面貼裝封裝分別支持頂部與底部散熱路徑，有助于降低外殼溫度并提高并聯(lián)能力；而TO-247封裝則提供了更強的熱容量，適用于更高功率密度的設計。

瑞薩GaN業(yè)務部副總裁Primit Parikh表示：“Gen IV Plus系列的成功推出，標志著瑞薩在完成對Transphorm收購后，在GaN技術(shù)領(lǐng)域的首次重大突破。未來我們將持續(xù)融合SuperGaN?平臺的技術(shù)優(yōu)勢與瑞薩自身的驅(qū)動器、控制器產(chǎn)品線，構(gòu)建完整的高效電源系統(tǒng)解決方案。”

此外，瑞薩在GaN領(lǐng)域已建立全面的產(chǎn)品矩陣，覆蓋高功率至低功率應用場景，區(qū)別于多數(shù)僅專注于低功率段的廠商。截至目前，瑞薩累計出貨GaN器件超過2,000萬顆，現(xiàn)場運行時間突破300億小時，展現(xiàn)出強大的市場認可度和技術(shù)積累。

目前，三款新型GaN FET及配套4.2kW圖騰柱PFC評估平臺（RTDTTP4200W066A-KIT）均已開放供貨，為開發(fā)者提供從設計到落地的一站式支持。

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