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采用 TOLT 封裝的 30mOhm、650V GaN 器件
符合 JEDEC 標準的 GaN 技術
低動態(tài)電阻Dynamic RDS(on)eff 驗証
零反向恢復電荷
減少分頻損耗
在硬開關和軟開關電路中實現(xiàn)更高的效率,從而實現(xiàn):
提高功率密度
減小系統(tǒng)尺寸和重量
整體降低系統(tǒng)成本
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RTDTTP4200W066A套件:4.2kW 數(shù)字無橋圖騰柱 PFC 評估板(RTDTTP4200W066A 4.2kW 無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 評估板使用最新的瑞薩電子第四代 Plus SuperGaN® FET 實現(xiàn)高效的單相 AC/DC 轉換。TP65H030G4PWS 是一款無二極管氮化鎵 (GaN) FET 電橋,具有低反向恢復功能。)
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常年備貨RENESAS(瑞薩)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微愛芯、ST等品牌現(xiàn)貨庫存,現(xiàn)貨供應邏輯器件、數(shù)字信號處理器、單片機/微控制器、場效應管、IGBT單管、電源管理等,滿足電子元器件及時性采購與開發(fā)需求
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