近日，國內(nèi)功率半導體領軍企業(yè)揚杰科技正式推出全新N60V系列SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽柵溝槽）結構MOSFET產(chǎn)品:YJT2D0G06H和YJB2D3G06H。該系列產(chǎn)品基于工藝與結構的雙重優(yōu)化，在導通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）及抗沖擊能力等方面實現(xiàn)顯著提升，特別適用于對效率和功率密度要求嚴苛的清潔能源與工業(yè)電力電子系統(tǒng)。

隨著新能源產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件在光伏逆變、儲能系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)（BMS）以及DC-DC轉換器等應用中扮演著越來越關鍵的角色。傳統(tǒng)MOSFET在高頻開關過程中往往面臨較大的導通損耗與開關損耗，影響整體系統(tǒng)效率與熱管理設計。揚杰科技此次推出的N60V系列MOSFET正是針對這些痛點進行技術突破。

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技術亮點解析：

優(yōu)化SGT工藝，降低損耗

N60V系列采用先進的SGT結構，有效抑制短溝道效應，并通過內(nèi)部電場優(yōu)化大幅降低導通電阻Rdson和柵極電荷Qg。這一改進不僅顯著減小了導通損耗和開關損耗，也提升了器件在高頻工況下的能效表現(xiàn)。

高耐溫能力，增強穩(wěn)定性

該系列產(chǎn)品支持高達175℃的工作溫度，并具備優(yōu)異的散熱性能，在持續(xù)高負載運行下仍能保持較低的溫升水平，從而提升系統(tǒng)長期運行的穩(wěn)定性和可靠性。

多種大功率封裝，適配廣泛應用場景

N60V系列提供TOLL、TO-263等多種主流大功率封裝形式，具備良好的PCB兼容性，尤其適合用于需要高電流承載能力和良好散熱條件的大功率應用，如BMS主控開關、儲能系統(tǒng)的雙向DC-DC變換器以及光伏微型逆變器等。

強化EAS能力，提升可靠性

針對工控與能源類設備復雜多變的運行環(huán)境，揚杰科技對產(chǎn)品的雪崩能量吸收能力（EAS）進行了專項優(yōu)化，使其在突發(fā)過壓、浪涌電流等極端條件下仍能保持穩(wěn)定工作，進一步提高產(chǎn)品在實際應用中的耐用性與安全性。

應用場景覆蓋廣，助力綠色能源升級

N60V系列SGT MOSFET已在多個清潔能源領域展開應用驗證，涵蓋：

電池管理系統(tǒng)（BMS）：滿足高精度充放電控制需求；

光伏微逆系統(tǒng)：提升低光照條件下的能量轉化效率；

儲能電源系統(tǒng)：支持高效雙向DC-DC變換；

工業(yè)電源與服務器電源：為高密度、高效率供電架構提供核心器件支撐。

揚杰科技表示，未來將持續(xù)深耕功率半導體核心技術，圍繞“碳達峰、碳中和”戰(zhàn)略目標，加速推進高性能功率器件在新能源領域的落地應用，助力構建更加智能、高效、綠色的能源生態(tài)系統(tǒng)。