2025年5月9日，全球領(lǐng)先的分立、邏輯及模擬半導(dǎo)體制造商Diodes公司（Nasdaq: DIOD）宣布推出全新650V碳化硅（SiC）肖特基二極管產(chǎn)品線——DSCxxA065LP系列。該系列產(chǎn)品涵蓋五種電流等級（4A至12A），采用高熱效率的T-DFN8080-4封裝，專為高效率開關(guān)電源應(yīng)用而設(shè)計，適用于如DC/DC轉(zhuǎn)換器、AC/DC電源、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電機驅(qū)動以及日益增長的人工智能數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。

隨著人工智能和高性能計算對能源效率提出更高要求，傳統(tǒng)硅基器件在高頻、高功率密度場景中逐漸顯現(xiàn)出性能瓶頸。為此，Diodes推出的DSCxxA065LP系列通過優(yōu)化材料特性與封裝結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因數(shù)（FoM = QC × VF），顯著提升系統(tǒng)整體能效。

低損耗設(shè)計，提升電源效率

該系列碳化硅二極管具備近乎理想的開關(guān)特性，無反向恢復(fù)電流，同時擁有極低的電荷容量（QC），有效降低了高頻工作下的開關(guān)損耗。此外，其正向壓降（VF）表現(xiàn)優(yōu)異，進一步減少傳導(dǎo)損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，使其特別適合用于高速開關(guān)電路設(shè)計。

在漏電流控制方面，DSCxxA065LP系列的最大反向漏電流僅為20μA，遠低于同類硅基器件。這不僅有助于降低系統(tǒng)的熱耗散，還提升了長期運行的穩(wěn)定性和可靠性，尤其適合高溫或高負載環(huán)境下的應(yīng)用場景。

緊湊封裝實現(xiàn)高功率密度

DSCxxA065LP系列采用T-DFN8080-4表面貼裝封裝（典型尺寸為8mm x 8mm x 1mm），內(nèi)部集成大面積散熱焊盤，顯著降低熱阻，提升散熱效率。相比傳統(tǒng)的TO252（DPAK）封裝，該方案占用更少PCB面積的同時，提供更強的熱管理能力，有助于工程師實現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計目標，并降低冷卻系統(tǒng)的成本投入。

目前，該系列產(chǎn)品已開放批量訂購，標準包裝數(shù)量為2500件每箱，型號包括DSC04A065LP（4A）、DSC06A065LP（6A）、DSC08A065LP（8A）、DSC10A065LP（10A）和DSC12A065LP（12A）。

在綠色能源與高效電源趨勢推動下，Diodes此次發(fā)布的碳化硅二極管系列，無疑為下一代電源系統(tǒng)提供了更加可靠且高效的解決方案選擇。

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