近日，華潤微電子功率器件事業(yè)群（PDBG）憑借其12吋功率器件晶圓產(chǎn)線的先進(jìn)工藝能力，快速開發(fā)并成功推出了第七代高性能IGBT系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品覆蓋650V、750V和1200V電壓平臺，廣泛適用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、UPS、SVG等應(yīng)用領(lǐng)域，為工業(yè)應(yīng)用提供了高效的提頻增效解決方案。

技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品優(yōu)勢

PDBG第七代IGBT系列產(chǎn)品采用了先進(jìn)的微溝槽工藝，通過優(yōu)化元胞設(shè)計和寄生電容參數(shù)，并在更薄的芯片基礎(chǔ)上調(diào)制背面FS層輪廓，實現(xiàn)了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗的顯著降低。這些技術(shù)改進(jìn)不僅提升了產(chǎn)品的高溫特性、可靠性、魯棒性，還增強了并聯(lián)適配性，使其在復(fù)雜工況下表現(xiàn)出色。

以650V 120A的IGBT器件為例，PDBG第七代IGBT在常溫和高溫條件下均展現(xiàn)出更優(yōu)的飽和壓降和更小的溫度變化率。在Ic=120A的條件下，第七代IGBT的開通損耗（Eon）、關(guān)斷損耗（Eoff）和總開關(guān)損耗（Etotal）均優(yōu)于行業(yè)同規(guī)格產(chǎn)品，總開關(guān)損耗較友商低至少15%。這使得該系列產(chǎn)品在溫升改善和效率提升方面具有顯著優(yōu)勢，高度適配光伏和儲能等應(yīng)用場景。

高性能與高可靠性

PDBG第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，確保了產(chǎn)品在Vth、Vcesat、Vf等關(guān)鍵參數(shù)上的一致性表現(xiàn)優(yōu)異。其高壓開關(guān)波形穩(wěn)定平滑，能夠滿足并聯(lián)應(yīng)用的高可靠性要求。目前，該系列產(chǎn)品已在儲能及光伏逆變器、UPS等領(lǐng)域完成驗證，并實現(xiàn)了頭部客戶的批量供貨。

在光伏應(yīng)用領(lǐng)域，PDBG能夠提供全套功率器件解決方案。例如，在一臺20kW裂相機T型三電平光伏逆變器中，共使用了8顆第七代IGBT，包括4顆650V 120A H系列IGBT和4顆750V 120A H系列IGBT。這種配置不僅優(yōu)化了系統(tǒng)性能，還顯著提升了整體效率。

產(chǎn)品系列化與市場應(yīng)用

依托12吋先進(jìn)工藝平臺和持續(xù)的研發(fā)投入，PDBG快速完成了第七代IGBT產(chǎn)品的系列化開發(fā)。目前，該系列產(chǎn)品已涵蓋650V、750V和1200V三個電壓平臺，電流范圍覆蓋40A至160A。這些產(chǎn)品能夠有效降低系統(tǒng)損耗，顯著提升系統(tǒng)效率，助力工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)提頻增效。

PDBG第七代IGBT系列化產(chǎn)品的推出，不僅豐富了公司的IGBT產(chǎn)品矩陣，更標(biāo)志著華潤微電子在高端IGBT量產(chǎn)能力上邁出了重要一步。該系列產(chǎn)品憑借其卓越的性能和可靠性，有望在光伏、儲能、UPS等市場中占據(jù)重要份額。

產(chǎn)品列表

CRG75T65AX7HDZ

CRG100T65AX7HDZ

CRG120T65AX7HDZ

CRG160T65AX7HDZ

CRG75T75AX7HDZ

CRG100T75AX7HDZ

CRG120T75AX7HDZ

CRG160T75AX7HDZ

CRG120T120AX7HDZ

CRG140T120AX7HDZ

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