即將于2025年3月27日至28日在上海金茂君悅大酒店舉行的國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC），將為全球半導(dǎo)體行業(yè)帶來一場科技盛宴。作為參展商之一，上海貝嶺將在展位號(hào)B05展示其最新的功率半導(dǎo)體解決方案，并由工業(yè)市場經(jīng)理康博帶來主題為“功率半導(dǎo)體方案賦能高效可靠光儲(chǔ)系統(tǒng)”的精彩演講。

展會(huì)亮點(diǎn)與議程

此次IIC展會(huì)選址在上海浦東新區(qū)世紀(jì)大道88號(hào)的金茂大廈內(nèi)，旨在探討綠色能源生態(tài)發(fā)展、中國IC設(shè)計(jì)創(chuàng)新、EDA/IP、MCU技術(shù)與應(yīng)用、高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。除了豐富的產(chǎn)品和技術(shù)展示外，大會(huì)還將舉辦企業(yè)新品發(fā)布會(huì)、高端峰會(huì)論壇以及年度重磅獎(jiǎng)項(xiàng)揭曉等多維度活動(dòng)內(nèi)容，為參會(huì)者提供全方位的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。

上海貝嶺推薦產(chǎn)品概覽

BLG40T120FDK5

這款I(lǐng)GBT采用第五代微溝槽多層場截止技術(shù)，電壓等級(jí)為1200V，電流達(dá)到40A。它具備快速開關(guān)、低關(guān)斷損耗和低導(dǎo)通電壓的特點(diǎn)，適用于光伏逆變器、PCS、開關(guān)電源逆變器和工業(yè)焊機(jī)等高頻應(yīng)用場景。終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等標(biāo)準(zhǔn)。

BLG40T120FDL5

同樣基于第五代技術(shù)，BLG40T120FDL5在優(yōu)化了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更好的輸出特性。通過改進(jìn)cell設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品可達(dá)到超過10us的短路耐受時(shí)間，適合通用變頻器和三相全橋逆變等需要高可靠性和強(qiáng)短路能力的應(yīng)用場景。

BLG80T65FDK7與BLG80T65FDL7

這兩款基于第七代技術(shù)的IGBT產(chǎn)品，電壓等級(jí)為650V，電流為80A。它們具有快速開關(guān)和低關(guān)斷損耗的優(yōu)勢，特別適合充電樁和工業(yè)焊機(jī)等高頻應(yīng)用。其中，BLG80T65FDL7進(jìn)一步加強(qiáng)了短路性能，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、通用驅(qū)動(dòng)和通用變頻器等有短路要求的應(yīng)用。

BLQG160T75FDL7與BLQGMS820T75FEDL7

前者是一款車規(guī)級(jí)IGBT，適用于工業(yè)和農(nóng)業(yè)車主驅(qū)系統(tǒng)；后者則是大電流車規(guī)級(jí)IGBT模塊，專為電動(dòng)或混動(dòng)汽車主驅(qū)逆變回路設(shè)計(jì)。兩者均采用了HPD封裝形式，確保了高可靠性和穩(wěn)定性。

SiC MOSFET系列產(chǎn)品

最后介紹的是SiC MOSFET系列產(chǎn)品，包括BLC13N120和BLCMF011N120DG2。前者是一款1200V電壓等級(jí)、13mohm導(dǎo)通電阻的平面SiC MOSFET，廣泛應(yīng)用于固態(tài)斷路器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域；后者則是一個(gè)緊湊型半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SiC MOSFET模塊，在高效轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

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康博的主題演講

在本次大會(huì)上，上海貝嶺工業(yè)市場經(jīng)理康博將以“功率半導(dǎo)體方案賦能高效可靠光儲(chǔ)系統(tǒng)”為主題發(fā)表演講。他將詳細(xì)介紹如何利用先進(jìn)的功率半導(dǎo)體技術(shù)提升光儲(chǔ)系統(tǒng)的效率和可靠性，探討未來發(fā)展的趨勢和挑戰(zhàn)。康博的演講不僅將揭示上海貝嶺在光儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域的最新研究成果，還將分享實(shí)際應(yīng)用案例，幫助聽眾更好地理解這些技術(shù)的實(shí)際價(jià)值。