利用雙MOSFET技術(shù)避免SEU影響

來源：中芯巨能：提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期：2024-06-17 10:00:01 瀏覽量：

半導(dǎo)體器件在高輻射環(huán)境下可能面臨Single Event Upset（SEU）等干擾，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致芯片功能異常或數(shù)據(jù)丟失，給系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性帶來挑戰(zhàn)。為了解決這一問題，近年來研究人員提出了利用雙MOSFET技術(shù)來避免SEU的影響。

在常規(guī)MOSFET器件中，當(dāng)發(fā)生SEU時，電荷注入會導(dǎo)致信號翻轉(zhuǎn)或異常，從而影響器件的正常功能。而雙MOSFET技術(shù)則通過在器件中引入兩個MOSFET管，分別作為主動器件和備用器件，以提高器件的抗輻照性能。

在雙MOSFET技術(shù)中，主動器件和備用器件通過復(fù)雜的電路設(shè)計和控制邏輯進行切換，在檢測到SEU事件發(fā)生時，備用器件會自動接管主動器件的工作，從而實現(xiàn)對SEU的快速響應(yīng)和修復(fù)。這種雙MOSFET技術(shù)不僅提高了器件的可靠性和抗干擾能力，還能夠在不影響正常工作的情況下，快速自我修復(fù)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

另外，利用雙MOSFET技術(shù)還可以實現(xiàn)更高的工作效率和性能。通過動態(tài)切換主動器件和備用器件，可以實現(xiàn)器件的動態(tài)配置和優(yōu)化，根據(jù)實際工作負載和環(huán)境變化，實現(xiàn)器件的自適應(yīng)調(diào)節(jié)和能效優(yōu)化，提高系統(tǒng)的整體性能和效率。

總的來說，利用雙MOSFET技術(shù)避免SEU影響是一種有效的解決方案，可以提高半導(dǎo)體器件在高輻射環(huán)境下的抗干擾能力和可靠性，同時能夠?qū)崿F(xiàn)自動修復(fù)和動態(tài)優(yōu)化，為系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性提供保障。

在未來的研究和應(yīng)用中，可以進一步探索雙MOSFET技術(shù)在不同領(lǐng)域和場景的應(yīng)用，不斷優(yōu)化和改進技術(shù)方案，推動半導(dǎo)體器件的抗干擾和自適應(yīng)能力，為高可靠性系統(tǒng)的設(shè)計和實現(xiàn)提供更多可能性和選擇。

上一篇：瑞薩RA8M1 MCU在Feather SOM和定制載板方案中的應(yīng)用

下一篇：國芯科技：助力智能汽車網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展