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Nexperia 領(lǐng)先微型 MOSFET 技術(shù)在可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)中的突破

來源：Nexperia官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-05-27 14:13:03 瀏覽量：

隨著可穿戴設(shè)備及微型可穿戴設(shè)備的普及，設(shè)計(jì)人員正面臨著如何在有限的空間內(nèi)集成眾多功能的挑戰(zhàn)。尤其是在智能手表、耳塞和智能珠寶等設(shè)備中，空間效率顯得尤為重要。為了解決這一問題，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以選擇采用微型（0.63 x 0.33 x 0.25 mm）小信號 MOSFET，以節(jié)省空間并降低電池消耗。

DFN 封裝方案為空間效率帶來提升

在設(shè)計(jì)過程中，空間限制是設(shè)計(jì)師需要重點(diǎn)考慮的因素之一。無線耳塞就是一個(gè)很好的例子，其 PCB 空間非常有限，但卻需要集成諸多硬件組件，如麥克風(fēng)、揚(yáng)聲器和射頻器件用于藍(lán)牙通信。為了在如此有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)功能，壓力不言而喻。

Nexperia 領(lǐng)先微型 MOSFET 技術(shù)在可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)中的突破

Nexperia 的 DFN0603 MOSFET 在小尺寸方面具有極強(qiáng)的競爭力，而且在其他方面也顯示出了顯著優(yōu)勢。在 VGS 為 4.5 V 條件下，該 MOSFET 的 RDS(on) 典型值低至 122 mΩ，相較于市售的 DFN0604 產(chǎn)品，降低了約 74%。RDS(on) 的降低意味著即使在更高的開關(guān)頻率下，也能保持高效開關(guān)性能。

除了優(yōu)異的導(dǎo)熱性能之外，Nexperia 還在該系列的部分產(chǎn)品中集成了靜電放電（ESD）保護(hù)，為微型解決方案提供了額外的靈活性。借助 Nexperia 在微型封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，采用 DFN0603 封裝的小信號 MOSFET 是向前邁出的一大步，它擁有同類產(chǎn)品中最佳的 RDS(on) 性能。

通過采用微型 MOSFET 技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可以在保障功能的前提下，實(shí)現(xiàn)更高效的空間利用，助力可穿戴設(shè)備及智能珠寶行業(yè)的發(fā)展。如需Nexperia產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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