據(jù)消息人士透露，臺積電計(jì)劃在嘉義科學(xué)園區(qū)建立1nm制程工廠，已向相關(guān)管理局提出100公頃用地需求，其中40公頃將先設(shè)立先進(jìn)封裝廠，后續(xù)的60公頃將作為1nm建廠用地。預(yù)計(jì)臺積電1nm制程的總投資額將逾萬億新臺幣。

臺積電表示，選擇設(shè)廠地點(diǎn)有諸多考量因素，公司以臺灣地區(qū)作為主要基地，不排除任何可能性，也持續(xù)與管理局合作評估合適的半導(dǎo)體建廠用地。公司強(qiáng)調(diào)，一切資訊請以公司對外公告為主。

在最近的IEDM 2023會(huì)議上，臺積電發(fā)布了最新的Roadmap。根據(jù)臺積電的計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)2nm級的N2制程，2026年左右量產(chǎn)N2P制程，屆時(shí)將會(huì)采用新的通道材料、EUV、金屬氧化物ESL、自對齊線w / Flexible Space、低損傷/硬化Low-K &新型銅填充等技術(shù)，將實(shí)現(xiàn)單顆芯片集成超過1000億個(gè)晶體管，同時(shí)借助先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝集成超過5000個(gè)晶體管。

臺積電還計(jì)劃在2027年之后量產(chǎn)1.4nm級的A14制程，2030年將量產(chǎn)1nm級的A10制程，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)單芯片集成超過2000億個(gè)晶體管，借助3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝內(nèi)集成超過1萬億個(gè)晶體管。

1納米芯片工藝的難度非常大，需要投入巨大的研發(fā)資源和資金，并且需要經(jīng)過長時(shí)間的研發(fā)和試驗(yàn)才能實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。盡管摩爾定律的推進(jìn)持續(xù)放緩，但臺積電深信，隨著2nm、1.4nm和1nm制程推出，未來五六年內(nèi)，半導(dǎo)體芯片仍能在性能、功耗和晶體管密度進(jìn)一步提升。

目前，臺積電也在不斷積累實(shí)現(xiàn)1納米芯片的技術(shù)，包括互補(bǔ)FET、2D材料、“多層布線”等。在2D材料上，臺積電等在內(nèi)的聯(lián)合研究小組開發(fā)出一種二維材料晶體管，其電流-電壓特性與n溝道FET和p溝道FET相同。此外，臺積電也將嘗試使用石墨烯進(jìn)行多層布線，替代當(dāng)前流行的銅多層互連。