2023年11月30日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件。這標(biāo)志著Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合的首次發(fā)布，為電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用提供了高性能SiC MOSFET解決方案。

Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動市場涌現(xiàn)更多寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數(shù)性能均超越同類產(chǎn)品，例如高RDS(on)、良好的溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展。”

三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專業(yè)知識，我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。”

Nexperia的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。此外，SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動損耗。Nexperia通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，進(jìn)一步提高了器件對寄生導(dǎo)通的抗擾度。

除了正溫度系數(shù)外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

擴(kuò)展閱讀：Nexperia代理商

Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大SiC MOSFET產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。對于對高性能SiC MOSFET需求的客戶，Nexperia提供了廣泛的解決方案，包括適用于電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和能源系統(tǒng)的SiC MOSFET產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將為客戶提供更高的功率密度、更高的效率和更可靠的性能，從而推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展。

Nexperia的SiC MOSFET產(chǎn)品具有出色的溫度穩(wěn)定性、低柵極驅(qū)動損耗、抗寄生導(dǎo)通能力和低體二極管正向電壓等特點(diǎn)，為客戶提供了高性能的解決方案。隨著SiC技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，Nexperia將繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的SiC MOSFET產(chǎn)品，滿足客戶不斷增長的需求，推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。如需數(shù)據(jù)手冊、樣片測試、詢價、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。