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?技術(shù)手冊(cè):基于齊納二極管的電壓基準(zhǔn)芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用

來(lái)源:中芯巨能:提供選型指導(dǎo)+樣片測(cè)試+現(xiàn)貨供應(yīng)| 發(fā)布日期:2025-05-15 18:00:02 瀏覽量:

在高精度模擬系統(tǒng)中,電壓基準(zhǔn)芯片是確保整個(gè)電路穩(wěn)定性和測(cè)量準(zhǔn)確性的關(guān)鍵模塊。其中,基于齊納二極管(Zener Diode)的電壓基準(zhǔn)芯片因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)異,在高端測(cè)試設(shè)備、精密儀器和工業(yè)控制系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。電壓基準(zhǔn)芯片代理商-中芯巨能將從工作原理、性能特點(diǎn)、典型產(chǎn)品及工程應(yīng)用角度,為工程師提供一份實(shí)用的技術(shù)參考。


一、基本原理與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

齊納二極管在反向擊穿區(qū)具有可預(yù)測(cè)且相對(duì)穩(wěn)定的電壓特性,這一現(xiàn)象通常被稱為“雪崩擊穿”或“齊納擊穿”,具體取決于電壓閾值。當(dāng)工作電流保持恒定時(shí),其反向電壓表現(xiàn)出良好的時(shí)間穩(wěn)定性和較低的噪聲水平,特別適合用于對(duì)長(zhǎng)期漂移和穩(wěn)定性要求較高的場(chǎng)合。

與帶隙基準(zhǔn)不同的是,齊納型基準(zhǔn)的核心元件數(shù)量更少,芯片面積更小,因此在設(shè)計(jì)上更為簡(jiǎn)潔。然而,這類(lèi)基準(zhǔn)也存在一些固有缺陷,如初始電壓偏差較大、溫度漂移較明顯等。為此,現(xiàn)代高性能齊納基準(zhǔn)普遍采用補(bǔ)償電路或溫控技術(shù)來(lái)改善其整體性能。

二、主要性能指標(biāo)與分類(lèi)

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同,齊納基準(zhǔn)可分為兩大類(lèi):

分流型基準(zhǔn):并聯(lián)于電源與地之間,需外部限流電阻供電,適用于低功耗、寬輸入電壓范圍的應(yīng)用。

串聯(lián)型基準(zhǔn):作為三端穩(wěn)壓器使用,內(nèi)部集成放大器和驅(qū)動(dòng)電路,輸出電壓固定或可調(diào),具備更好的負(fù)載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)。

性能參數(shù)特點(diǎn)
初始精度±0.1%~±1%,部分型號(hào)支持出廠校準(zhǔn)
溫度漂移典型值 < 5ppm/°C,高性能型號(hào)可達(dá)0.05ppm/°C(如LTZ1000)
噪聲水平可低至1.2μV峰峰值(0.1Hz~10Hz頻段)
長(zhǎng)期穩(wěn)定性小于2μV/√kHr,適合高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
功耗多數(shù)器件需要3mA以上靜態(tài)電流

三、典型產(chǎn)品與功能增強(qiáng)

許多高性能齊納基準(zhǔn)通過(guò)引入附加電路來(lái)優(yōu)化原始齊納二極管的性能:

LT1021、LT1236、LT1027:這些器件集成了內(nèi)部電流源和放大器,可在不犧牲穩(wěn)定性的情況下調(diào)節(jié)齊納電壓,并提供多種標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓(如5V、7V、10V)。盡管需要更高的電源裕量,但顯著提高了系統(tǒng)的兼容性與靈活性。

LM399、LTZ1000:代表了當(dāng)前齊納基準(zhǔn)的最高性能水平。它們不僅內(nèi)置加熱元件以維持齊納結(jié)溫度恒定,還配備輔助晶體管實(shí)現(xiàn)溫度反饋控制,從而大幅降低溫度漂移。例如,LTZ1000的溫度漂移僅為0.05ppm/°C,噪聲低于1.2μV峰峰值,長(zhǎng)期穩(wěn)定性達(dá)到2μV/√kHr,非常適合用于高精度ADC/DAC、實(shí)驗(yàn)室儀表和計(jì)量設(shè)備。

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四、工程應(yīng)用建議

電源裕量預(yù)留
齊納基準(zhǔn)通常需要至少1.5V以上的電源裕量,設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)確保足夠的供電余量,避免因壓降導(dǎo)致基準(zhǔn)失效。

去耦與濾波
在VREF引腳附近放置0.1μF陶瓷電容,并考慮加入RC低通濾波網(wǎng)絡(luò),以抑制高頻噪聲。

熱管理與布局優(yōu)化
對(duì)于帶有溫控功能的型號(hào)(如LTZ1000),建議將其遠(yuǎn)離發(fā)熱元件,并在PCB上布置大面積銅箔以提高散熱效率。

負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力匹配
若后級(jí)電路為高動(dòng)態(tài)負(fù)載,建議增加緩沖放大器以防止輸出波動(dòng)。


五、總結(jié)

基于齊納二極管的電壓基準(zhǔn)芯片憑借其出色的長(zhǎng)期穩(wěn)定性、低噪聲和優(yōu)異的可靠性,仍然是高精度系統(tǒng)中的首選方案之一。雖然其初始電壓誤差和溫度漂移略高于某些帶隙基準(zhǔn),但通過(guò)先進(jìn)的補(bǔ)償技術(shù)和封裝工藝,如溫控、內(nèi)部放大和高精度激光修調(diào),現(xiàn)代齊納基準(zhǔn)已能實(shí)現(xiàn)接近理想基準(zhǔn)的性能表現(xiàn)。

對(duì)于追求極致穩(wěn)定性的工程師而言,選擇合適的齊納型電壓基準(zhǔn)芯片不僅能提升系統(tǒng)精度,還能簡(jiǎn)化后續(xù)校準(zhǔn)流程,是構(gòu)建高可靠性模擬前端、精密測(cè)量與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的重要基石。

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