Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET（增強型氮化鎵場效應晶體管）產(chǎn)品組合新增12款新器件，旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。

新增器件豐富應用場景

自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。此次發(fā)布的E-mode GaN FET新產(chǎn)品涵蓋了多種電壓范圍的應用需求，從低壓到高壓，全面覆蓋了各類應用場景。

低壓應用：提升電池管理系統(tǒng)效率

此次發(fā)布的新產(chǎn)品中，包含了一款新型低壓40 V雙向器件（RDSon<12 mΩ），專門用于支持過壓保護（OVP）、負載切換以及低壓應用，如移動設備和筆記本電腦中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。這款器件憑借其超低的導通電阻，能夠有效提高系統(tǒng)的能效，并確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性。

中壓應用：廣泛應用于電源轉換與電機控制

除了低壓應用外，此次發(fā)布還推出了100 V和150 V器件（RDSon<7 mΩ），這些器件適用于消費電子設備的同步整流（SR）電源、數(shù)據(jù)通信和電信設備中的DC-DC轉換器、光伏微型逆變器、D類音頻放大器，以及電動自行車、叉車和輕型電動車（LEV）中的電機控制系統(tǒng)。這些中壓器件不僅具備出色的開關性能，還通過其極低的QG和QOSS值，提供了業(yè)界領先的品質因數(shù)（FOM），非常適合用于高效電源解決方案。

高壓應用：優(yōu)化LED驅動與AC/DC轉換

在高壓領域，新產(chǎn)品包括700 V器件（RDSon>140 mΩ），主要用于支持LED驅動器和功率因素校正（PFC）應用；以及650 V器件（RDSon>350 mΩ），適用于AC/DC轉換器。這些高壓器件憑借其卓越的電氣特性，能夠在高電壓環(huán)境下實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的操作，進一步提升了系統(tǒng)的整體性能。

出色的開關性能與可靠性

Nexperia E-mode GaN FET技術以其超低的QG（柵極電荷）和QOSS（輸出電容存儲電荷）值著稱，提供了出色的開關性能。這些新器件不僅在開關速度上具有顯著優(yōu)勢，還在熱管理和電磁兼容性方面表現(xiàn)出色，使得它們成為高效電源解決方案的理想選擇。

適應未來發(fā)展的技術創(chuàng)新

隨著全球對能源效率和緊湊系統(tǒng)需求的不斷增加，Nexperia的E-mode GaN FET產(chǎn)品組合為工程師和設計師提供了更多的靈活性和創(chuàng)新空間。無論是消費電子產(chǎn)品還是工業(yè)應用，這些新型器件都能幫助用戶在不犧牲性能的前提下，優(yōu)化布板空間，降低系統(tǒng)成本和復雜性。

結語

通過此次產(chǎn)品發(fā)布，Nexperia不僅展示了其在氮化鎵技術領域的領先地位，也為各行業(yè)提供了更加高效、可靠的解決方案。這些新型E-mode GaN FET憑借其卓越的性能、豐富的應用場景和靈活的設計選項，必將在未來的電子設計中發(fā)揮重要作用。無論是個人電子產(chǎn)品還是工業(yè)自動化，Nexperia的E-mode GaN FET都將成為推動技術進步的重要力量，助力實現(xiàn)更加綠色、高效的未來。

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