根據(jù)SEMI最新的全球晶圓廠預(yù)測季度報告，預(yù)計2025年半導(dǎo)體行業(yè)將啟動18個新的晶圓廠建設(shè)項目，其中包括3座200毫米和15座300毫米晶圓設(shè)施。這些項目大部分計劃在2026年至2027年間投入運(yùn)營，顯示出全球范圍內(nèi)對半導(dǎo)體制造能力的持續(xù)投資。

各地區(qū)建設(shè)規(guī)劃

美洲和日本成為2025年新建項目的領(lǐng)先地區(qū)，各自計劃建設(shè)4個項目；中國大陸與歐洲及中東地區(qū)并列第三，各計劃建設(shè)3個項目；中國臺灣則有2個項目，而韓國和東南亞各有1個項目。這表明盡管地緣政治環(huán)境復(fù)雜多變，但各國和地區(qū)依然重視本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并通過增加產(chǎn)能來滿足市場需求和技術(shù)進(jìn)步的要求。

行業(yè)發(fā)展趨勢

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha指出：“半導(dǎo)體行業(yè)正處于一個關(guān)鍵時刻，大量的投資正推動尖端技術(shù)和主流技術(shù)的發(fā)展，以應(yīng)對全球需求的變化。”他強(qiáng)調(diào)，生成式人工智能（AI）和高性能計算（HPC）是當(dāng)前驅(qū)動邏輯和存儲領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量，同時也為汽車、物聯(lián)網(wǎng)以及電力電子等重要應(yīng)用提供了必要的支持。此次宣布的新建項目數(shù)量反映了行業(yè)對于創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)增長的支持決心。

產(chǎn)能增長預(yù)測

報告顯示，到2025年底，全球半導(dǎo)體行業(yè)的月度總晶圓產(chǎn)量預(yù)計將增至3360萬片（按200mm當(dāng)量計算），比前一年增長6.6%。這一擴(kuò)張主要由HPC應(yīng)用中的前沿邏輯技術(shù)和邊緣設(shè)備中生成式AI的普及所帶動。特別是在先進(jìn)節(jié)點（7nm及以下），預(yù)計該領(lǐng)域的年增長率將達(dá)到16%，增幅超過每月30萬片，至2025年達(dá)到每月220萬片。此外，由于中國大陸的芯片自給自足戰(zhàn)略以及汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求預(yù)期，主流節(jié)點（8nm~45nm）也將實現(xiàn)6%的增長，突破每月1500萬片的大關(guān)。相比之下，成熟技術(shù)節(jié)點（50nm及以上）的擴(kuò)張較為保守，預(yù)計僅增長5%，至2025年達(dá)到每月1400萬片。

代工廠與存儲部門動態(tài)

代工廠供應(yīng)商預(yù)計將繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體設(shè)備采購市場，其產(chǎn)能有望從2024年的每月1130萬片增加到2025年的1260萬片，同比增長10.9%。整體存儲部門雖然增速放緩——2024年和2025年的增長率分別為3.5%和2.9%——但生成式AI的需求激增正在改變存儲市場的格局。特別是高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域出現(xiàn)了顯著的增長勢頭，使得DRAM部門在2025年的月產(chǎn)量預(yù)計將同比增長約7%，達(dá)到450萬片；而3D NAND的安裝容量則預(yù)計增長5%，至370萬片。

總結(jié)

隨著2025年即將開啟的新一輪晶圓廠建設(shè)熱潮，全球半導(dǎo)體行業(yè)不僅展示了其對未來技術(shù)發(fā)展的堅定信心，也體現(xiàn)了對全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇和創(chuàng)新驅(qū)動增長的積極態(tài)度。SEMI發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測報告》最新版本于2024年12月發(fā)布，涵蓋了超過1500個設(shè)施和生產(chǎn)線的數(shù)據(jù)，包括180個預(yù)計在未來幾年內(nèi)開始運(yùn)營的高產(chǎn)量設(shè)施。這些數(shù)據(jù)為業(yè)界提供了寶貴的信息資源，幫助企業(yè)和投資者更好地理解市場趨勢，制定戰(zhàn)略決策。