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英飛凌第二代CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝新品發(fā)布

來源:英飛凌| 發(fā)布日期:2024-11-29 10:54:56 瀏覽量:

英飛凌科技公司推出了采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列。這一新產(chǎn)品系列在第一代技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了顯著改進(jìn),旨在加快系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。

產(chǎn)品概述

第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列以D2PAK-7L封裝形式推出,型號(hào)為IMBG120R034M2H。該系列產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著提升,適用于各種常見的功率變換應(yīng)用,包括交流-直流、直流-直流和直流-交流轉(zhuǎn)換。如需采購IMBG120R034M2H、申請(qǐng)樣片測(cè)試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。

英飛凌第二代CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝新品發(fā)布

產(chǎn)品特點(diǎn)

極低的開關(guān)損耗:提高了系統(tǒng)的整體效率。

過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)200°C:確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。

短路耐受時(shí)間2μs:增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

基準(zhǔn)柵極閾值電壓VGS(th) = 4.2V:提供穩(wěn)定的開關(guān)特性。

抗寄生開通能力強(qiáng):支持0V柵極關(guān)斷電壓,減少不必要的能量損耗。

堅(jiān)固的體二極管:適用于硬換流應(yīng)用。

.XT互聯(lián)技術(shù):實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能,進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性。

應(yīng)用價(jià)值

更高的能源效率:通過降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)整體效率。

優(yōu)化散熱:.XT互聯(lián)技術(shù)確保高效的熱管理。

更高的功率密度:緊湊的設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)更加小型化。

新的穩(wěn)健性性能:增強(qiáng)的短路耐受時(shí)間和過載運(yùn)行溫度提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

高可靠性:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

最低RDS(on):提供市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻,提高輸出能力。

最精細(xì)的產(chǎn)品系列:滿足不同應(yīng)用需求的多樣化選擇。

過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)200°C:適應(yīng)極端工作環(huán)境。

強(qiáng)大的短路額定值:確保在異常情況下系統(tǒng)的安全。

雪崩穩(wěn)健性:提高對(duì)瞬態(tài)電壓的抵抗能力。

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車充電:提高充電效率和可靠性。

組串逆變器:優(yōu)化光伏系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換。

光伏優(yōu)化器:提高光伏系統(tǒng)的整體性能。

在線式UPS/工業(yè)UPS:確保關(guān)鍵設(shè)備的不間斷供電。

通用變頻器(GPD):提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和可靠性。

結(jié)語

英飛凌的第二代CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝產(chǎn)品系列,憑借其卓越的性能和可靠性,為各種功率變換應(yīng)用提供了先進(jìn)的解決方案。無論是電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)還是工業(yè)電源管理,這些MOSFET都能顯著提高系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度,滿足現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的高標(biāo)準(zhǔn)要求。


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