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2024年11月5日,英飛凌科技的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(包括EasyPACK? 3B封裝和62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)(World Electronics Achievement Awards, WEAA)“年度高性能無(wú)源/分立器件”(High Performance Passive/Discrete Devices of the Year)。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)產(chǎn)品總監(jiān)張明丹女士出席了本次頒獎(jiǎng)典禮。
封裝與電氣特性:采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。
技術(shù)特點(diǎn):基于第一代增強(qiáng)型溝槽柵技術(shù),該產(chǎn)品在電壓等級(jí)上實(shí)現(xiàn)了向上拓展,成為市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件,適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。
散熱與防潮性能:憑借.XT擴(kuò)散焊技術(shù),這款產(chǎn)品可提供一流的散熱性能和高防潮性,不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求,也能確保系統(tǒng)的可靠性。
封裝與技術(shù):采用了增強(qiáng)型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術(shù),搭載EasyPACK? 3B封裝和62mm兩種封裝。其中,DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個(gè)采用EasyPACK? 3B封裝的2000V CoolSiC? MOSFET功率模塊,適用于1500V光伏系統(tǒng)。
性能優(yōu)勢(shì):實(shí)際應(yīng)用中,通過(guò)使用該產(chǎn)品,兩電平可以取代三電平的結(jié)構(gòu),在輕載下,Boost升壓效率提高了1%,而在所有工作條件下,升壓效率平均提高了0.5%。它實(shí)現(xiàn)了更簡(jiǎn)單的解決方案,減少了器件的數(shù)量,同時(shí)提高了功率密度,降低了1500 VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。
優(yōu)化性能:優(yōu)化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍等SiC MOS關(guān)鍵性能。該產(chǎn)品VGS(th)最大正負(fù)柵極源極電壓分別擴(kuò)展至+23V和-10V,同時(shí)增大了推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓的范圍,+15...+18V和0...-5V。
高溫性能:過(guò)載條件下的Tvjop最高可達(dá)175℃,與市場(chǎng)同類產(chǎn)品相比,62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強(qiáng)等顯著優(yōu)勢(shì)。
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英飛凌的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊在多個(gè)領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì):
光伏發(fā)電:適用于1500V光伏系統(tǒng),提高升壓效率,簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),降低總系統(tǒng)成本。
工業(yè)電源:適用于高直流電壓母線系統(tǒng),確保系統(tǒng)的可靠性和效率。
電動(dòng)汽車:提高功率密度,減少器件數(shù)量,提高系統(tǒng)的整體性能。
儲(chǔ)能系統(tǒng):提高系統(tǒng)的可靠性和效率,延長(zhǎng)使用壽命
英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊的獲獎(jiǎng),再次展現(xiàn)了英飛凌在電力電子領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位。英飛凌將繼續(xù)致力于研發(fā)更多高性能、高可靠性的碳化硅產(chǎn)品,為行業(yè)客戶創(chuàng)造更大的價(jià)值。張明丹女士表示,英飛凌將不斷推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步,為客戶提供更加高效、可靠的解決方案。