隨著信息技術的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心作為數(shù)據(jù)處理的核心設施，其能效問題日益受到重視。同步整流技術作為提高電源轉(zhuǎn)換效率的關鍵手段，已在高性能、大電流、低壓電源轉(zhuǎn)換應用中得到廣泛應用，尤其是在數(shù)據(jù)中心服務器領域。在此類應用中，MOSFET 參數(shù)如 RDS(ON)、Qg、QOSS 和 Qrr 對轉(zhuǎn)換效率的影響尤為顯著，因此，器件制造商不斷探索減少這些參數(shù)負面影響的方法。

PowerTrench T10 MOSFET 技術亮點

安森美推出的 PowerTrench T10 MOSFET 采用了創(chuàng)新的屏蔽柵極溝道設計，實現(xiàn)了極低的 Qg 值，同時將 RDS(ON) 降至低于 1mΩ。這一技術進步不僅大幅減少了開關過程中的振鈴、過沖和噪聲，還通過其行業(yè)領先的軟恢復體二極管顯著降低了 Qrr。這種設計在導通電阻性能和恢復特性之間達到了理想的平衡，確保了低損耗的快速開關操作。

效率提升的具體表現(xiàn)

得益于 PowerTrench T10 技術的改進，中低壓、大電流開關電源解決方案的整體效率得到了顯著提升。具體來說，與前代產(chǎn)品相比，開關損耗最多可降低 50%，而導通損耗則可減少 30%-40%。這些改進對于提高數(shù)據(jù)中心的能源利用效率具有重要意義。

新產(chǎn)品系列

為了滿足不同應用場景的需求，安森美推出了基于 PowerTrench T10 技術的 40V 和 80V 系列產(chǎn)品。其中，NTMFWS1D5N08X（80V、1.43mΩ、5mm x 6mm SO8-FL 封裝）和 NTTFSSCH1D3N04XL（40V、1.3mΩ、3.3mm x 3.3mm 源下雙冷卻封裝）特別適用于人工智能數(shù)據(jù)中心的電源單元（PSU）和中間母線轉(zhuǎn)換器（IBC）。

這些新產(chǎn)品不僅在性能上達到了同類最佳水平，而且能夠滿足開放式機架（Open Rack）V3 規(guī)范的要求，實現(xiàn)了高達 97.5% 的 PSU 效率和 98% 的 IBC 效率。這標志著安森美在推動數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換技術方面邁出了重要一步。

結(jié)論

安森美的 PowerTrench T10 MOSFET 技術通過優(yōu)化關鍵參數(shù)，顯著提升了同步整流在數(shù)據(jù)中心等高性能應用中的效率。隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的不斷擴大和技術要求的不斷提高，PowerTrench T10 系列產(chǎn)品必將成為未來電源轉(zhuǎn)換解決方案的重要組成部分，助力實現(xiàn)更加高效、可靠的數(shù)據(jù)中心運營。如需采購、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。