英飛凌推出1200V 62mm CoolSiC? MOSFET半橋模塊

來源：英飛凌官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-06-25 11:42:43 瀏覽量：

英飛凌近日宣布推出了1200V的62mm CoolSiC? MOSFET半橋模塊，該模塊采用了M1H芯片技術(shù)，顯著提升了在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口等方面的性能。新規(guī)格為2.9mΩ 1200V，用戶可根據(jù)需求選擇帶或不帶熱界面材料(TIM)的產(chǎn)品。

該系列產(chǎn)品包括FF3MR12KM1H 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，以及FF3MR12KM1HP 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，預(yù)涂TIM。產(chǎn)品特點包括集成體二極管，優(yōu)化了熱阻，柵極氧化層可靠性突出，具備抗宇宙射線能力強的特點。

該模塊針對應(yīng)用苛刻條件進行了優(yōu)化，具有更低的電壓過沖、最小的導(dǎo)通損耗以及高速開關(guān)、極低損耗的優(yōu)點。對稱模塊設(shè)計實現(xiàn)了對稱的上下橋臂開關(guān)行為，標準模塊封裝技術(shù)保證了可靠性。此外，生產(chǎn)線采用62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線生產(chǎn)。

英飛凌此次推出的產(chǎn)品在碳化硅擴展成熟的62毫米封裝產(chǎn)品基礎(chǔ)上，以滿足快速開關(guān)和低損耗需求。該產(chǎn)品具備電流密度最高、防潮性能強等競爭優(yōu)勢。

這款模塊適用于多個領(lǐng)域，包括儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏逆變器以及UPS等應(yīng)用場景。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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