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安世半導體碳化硅產(chǎn)品的卓越優(yōu)勢及應用領域介紹

來源:安世半導體代理| 發(fā)布日期:2024-05-28 13:45:08 瀏覽量:

安世半導體碳化硅產(chǎn)品的主要優(yōu)勢在于其出色的性能平衡。通過創(chuàng)新工藝技術(shù),首款SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性,工作溫度范圍25℃至175℃內(nèi),RDS(on)標稱值僅增加38%。其總柵極電荷(QG)低,帶來更低的柵極驅(qū)動損耗,同時QGD與QGS比率低,提高了器件對寄生導通的抗擾度。此外,SiC MOSFET的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異低,體二極管正向電壓(VSD)較低,有助于提高器件的穩(wěn)健性和效率。

安世半導體碳化硅產(chǎn)品的卓越優(yōu)勢及應用領域介紹

為確保碳化硅器件的質(zhì)量和可靠性,安世半導體進行了2000小時的可靠性測試,同時超出市場標準,還進行額外的工業(yè)和車規(guī)可靠性測試。研發(fā)團隊擁有多年碳化硅開發(fā)經(jīng)驗,產(chǎn)品質(zhì)量控制達到PPB級別標準,每10億顆器件的失效率極低。在RDson溫漂數(shù)據(jù)方面,產(chǎn)品可以實現(xiàn)業(yè)界領先的RDSon溫度穩(wěn)定性,在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi),RDSon的標稱值僅增加38%。

安世半導體的碳化硅分立器件可廣泛應用于電動汽車OBC、DC-DC、充電樁、UPS、太陽能和儲能系統(tǒng)逆變器等領域,滿足對高性能SiC MOSFET的需求。該公司的碳化硅驅(qū)動電壓范圍為-5V至+15V/+18V,在-10V和+22V的上下限范圍內(nèi)。此外,安世半導體的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET、GaN FET、模擬和邏輯IC以及IGBT等特色產(chǎn)品。如需選型指導、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

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