4月19日消息，全球領(lǐng)先的存儲器供應(yīng)商SK海力士今日宣布，為進(jìn)一步加強(qiáng)HBM產(chǎn)品的生產(chǎn)及推動先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，公司已與全球頂級邏輯代工企業(yè)臺積電達(dá)成戰(zhàn)略合作，并簽署了諒解備忘錄(MOU)。根據(jù)計(jì)劃，雙方將共同開發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的第六代HBM產(chǎn)品——HBM4。

作為AI應(yīng)用存儲器領(lǐng)域的佼佼者，SK海力士表示，此次與臺積電的合作將有力推動HBM技術(shù)的創(chuàng)新。通過構(gòu)建包括IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲器廠在內(nèi)的三方技術(shù)合作體系，雙方將共同實(shí)現(xiàn)存儲器產(chǎn)品性能的新突破。

在合作過程中，兩家公司將首先聚焦于HBM封裝內(nèi)的最底層基礎(chǔ)裸片(BaseDie)的性能改善。HBM是通過將多個(gè)DRAM裸片(CoreDie)堆疊在基礎(chǔ)裸片上，并通過硅通孔(TSV)技術(shù)進(jìn)行垂直連接而成，而基礎(chǔ)裸片則連接至GPU，對HBM進(jìn)行控制。此次合作將致力于優(yōu)化這一結(jié)構(gòu)，提升整體性能。

SK海力士從HBM4產(chǎn)品開始計(jì)劃采用臺積電的先進(jìn)邏輯(Logic)工藝來制造基礎(chǔ)裸片。采用超細(xì)微工藝將為基礎(chǔ)裸片增添更多功能，進(jìn)而生產(chǎn)出性能和功效更廣泛滿足客戶需求的定制化(Customized)HBM產(chǎn)品。

雙方還將合作優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品與臺積電的CoWoS技術(shù)融合。CoWoS是臺積電獨(dú)有的制程工藝，通過在特殊基板上搭載并連接邏輯芯片和HBM，實(shí)現(xiàn)了2D封裝基板上的邏輯芯片與垂直堆疊(3D)HBM的集成，形成了一種2.5D封裝技術(shù)。通過這一技術(shù)的融合，雙方將共同應(yīng)對HBM相關(guān)客戶的要求，提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)社長金柱善表示：“通過與臺積電的合作伙伴關(guān)系，我們不僅將開發(fā)出最高性能的HBM4，還將積極拓展與全球客戶的開放性合作。未來，我們將致力于提升客戶定制化存儲器平臺的競爭力，以鞏固我們作為‘面向AI的存儲器全方位供應(yīng)商’的地位。”

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)和海外營運(yùn)辦公室資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)也對此次合作表示了積極態(tài)度：“多年來，臺積電與SK海力士已建立了穩(wěn)固的合作伙伴關(guān)系。通過結(jié)合最先進(jìn)的邏輯工藝和HBM產(chǎn)品，我們已向市場提供了全球領(lǐng)先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司通過密切合作將提供最佳的整合產(chǎn)品，為我們的共同客戶開展新的AI創(chuàng)新提供關(guān)鍵推動力。”

此次SK海力士與臺積電的合作，無疑將推動HBM技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，為AI應(yīng)用帶來更為強(qiáng)大的存儲支持。雙方的合作也將加強(qiáng)彼此在全球半導(dǎo)體市場的地位，共同迎接未來的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。