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武漢芯源半導(dǎo)體MOSFET相關(guān)的常見問題解答

來源：中芯巨能：提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期：2024-02-27 12:00:01 瀏覽量：

在以下內(nèi)容中，我們將為您解答一些與武漢芯源半導(dǎo)體MOSFET相關(guān)的常見問題：

Q：我們的MOSFET采用什么工藝？

A：采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。

Q：我們的MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

A：我們的MOSFET采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用： 1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗； 2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷; 3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率； 4）消費(fèi)類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。


Q：并聯(lián)使用MOS存在一些問題，那我們要怎樣做才能避免這些問題？

武漢芯源半導(dǎo)體MOSFET相關(guān)的常見問題解答

A：首先，器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并聯(lián)時(shí)，器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會(huì)引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過流損壞。其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴(yán)重，性能會(huì)急劇下降，因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要對(duì)MOS進(jìn)行降額使用。

Q：目前的MOSFET提供哪些封裝？

A：封裝有TO-220、TO-220F、TO-252、TO-247等。



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