在電子工程中，有效的熱管理通常是提高系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。對(duì)于高功率應(yīng)用，如汽車(chē)電子和工業(yè)設(shè)備，這個(gè)問(wèn)題尤為突出。為了解決這個(gè)挑戰(zhàn)，安森美（onsemi）推出了一種新的MOSFET封裝技術(shù)，名為“Top Cool”。

傳統(tǒng)的MOSFET封裝技術(shù)，將引線框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到PCB的覆銅區(qū)域，以此提供從芯片到PCB的電連接和熱路徑。然而，這種方法嚴(yán)重依賴(lài)于PCB的特性，如覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局，限制了器件的最大功率能力。

安森美的Top Cool技術(shù)改變了這一現(xiàn)狀。在Top Cool封裝中，引線框架（漏極）被暴露在封裝的頂部，使得熱量可以向上散發(fā)，從而改善了器件的散熱性能。這種設(shè)計(jì)允許在MOSFET上方放置散熱器，進(jìn)一步提高了散熱效率。同時(shí)，由于熱量不再需要通過(guò)PCB散發(fā)，PCB本身的溫度也會(huì)降低，從而提高了其可靠性。

常規(guī)散熱方法，熱量需要通過(guò) PCB 傳輸?shù)缴崞?/p>

Top Cool MOSFET的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，由于其頂部散熱的設(shè)計(jì)，可以在相同的PCB空間內(nèi)布置更多的元件，從而使得方案更加緊湊。這種緊湊的設(shè)計(jì)也使得柵極驅(qū)動(dòng)走線可以更短，有利于高頻工作的穩(wěn)定性。

頂部散熱器件將散熱器置于上方以改善布局和熱性能

此外，安森美的Top Cool MOSFET提供了卓越的電氣性能。其RDS(ON)值低至1mΩ，Qg值僅為65nC，大大降低了高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗。同時(shí)，該系列TCPAK57封裝產(chǎn)品組合包括40V、60V和80V三種型號(hào)，所有器件都能在175°C的結(jié)溫下工作，并符合AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。

總的來(lái)說(shuō)，安森美的Top Cool MOSFET通過(guò)巧妙的封裝設(shè)計(jì)，大大提高了系統(tǒng)的性能和可靠性。這種新型的MOSFET解決方案不僅改善了散熱問(wèn)題，還簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、減小了尺寸并降低了成本。對(duì)于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)理想的解決方案。

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