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熱搜關(guān)鍵詞:
RHFAD128 是一款專(zhuān)為太空應(yīng)用設(shè)計(jì)的低功耗八通道12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。該器件采用高端且經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的CMOS技術(shù),能夠承受電離輻射和重離子的影響。RHFAD128 適用于50 ksps至1 Msps的轉(zhuǎn)換速率,基于逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu),并內(nèi)置了跟蹤保持單元。其輸出數(shù)據(jù)為直接二進(jìn)制格式,并與SPI接口兼容。
轉(zhuǎn)換速率
轉(zhuǎn)換速率:50 ksps 至 1 Msps
2.2 輸入多路復(fù)用器
單端輸入:支持8個(gè)單端輸入通道。
差分輸入:可以配置為4個(gè)差分輸入通道。
2.3 電源要求
模擬和數(shù)字電源電壓范圍:2.7 V 至 3.6 V
最大電流消耗:2 mA
2.4 封裝和工作溫度
封裝:氣密封裝陶瓷Flat-16引腳
工作溫度范圍:-55 °C 至 +125 °C
2.5 其他功能
獨(dú)立的模擬和數(shù)字電源:模擬和數(shù)字電源可以獨(dú)立供電。
純CMOS工藝:采用先進(jìn)的CMOS技術(shù),確保低功耗和高可靠性。
極低功耗:在保證高性能的同時(shí),保持極低的功耗。
SPI兼容輸出:串行數(shù)字輸出與SPI接口兼容,簡(jiǎn)化了與微控制器和其他設(shè)備的連接。
掉電功能:具備掉電模式,可在不使用時(shí)進(jìn)一步降低功耗。
抗輻射能力:
總電離劑量(TID):目標(biāo)為300 krad
閂鎖免疫(SEL):在125 MeV·cm2/mg條件下無(wú)閂鎖效應(yīng)
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RHFAD128 適用于多種需要高可靠性和抗輻射性能的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
航天器:衛(wèi)星通信系統(tǒng)、遙感設(shè)備等。
深空探測(cè):行星探測(cè)器、星際探測(cè)器等。
軍事電子:雷達(dá)系統(tǒng)、通信設(shè)備等。
工業(yè)自動(dòng)化:高精度傳感器數(shù)據(jù)采集和處理。
醫(yī)療設(shè)備:高端醫(yī)療成像設(shè)備中的數(shù)據(jù)采集。
RHFAD128K01V
RHFAD128D2S
RHFAD128K02V
RH-AD128KX
RH-AD128K1
RH-AD1285K1
RHFAD128 以其低功耗、多通道輸入和高抗輻射特性,成為眾多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇。其基于逐次逼近寄存器的設(shè)計(jì)和內(nèi)部跟蹤保持單元確保了卓越的性能。此外,獨(dú)立的模擬和數(shù)字電源以及與SPI兼容的串行輸出接口進(jìn)一步增強(qiáng)了其靈活性和實(shí)用性。無(wú)論是在航天器、深空探測(cè)還是軍事電子領(lǐng)域,RHFAD128 都能提供可靠且高效的模數(shù)轉(zhuǎn)換解決方案,幫助工程師簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并加快產(chǎn)品上市時(shí)間。