近日，華大半導體與湖南大學在上海聯(lián)合舉辦了一場關(guān)于SiC（碳化硅）功率半導體技術(shù)的研討會。此次會議旨在探討SiC功率半導體在設計、制造及材料等領(lǐng)域的最新進展及其面臨的挑戰(zhàn)。通過深入交流和討論，雙方不僅分享了各自的研究成果，還為未來的合作奠定了堅實的基礎(chǔ)。

深入探討SiC功率半導體的設計與應用

會上，來自湖南大學電氣與信息工程學院的王俊教授詳細介紹了SiC功率半導體芯片設計與應用領(lǐng)域的熱點問題，并展示了其團隊取得的最新研究成果。王教授指出，隨著新能源汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高效能、高可靠性的功率半導體器件的需求日益增加。SiC材料憑借其優(yōu)越的電學性能，成為滿足這些需求的理想選擇之一。

翟東媛副教授則聚焦于缺陷測試方面的前沿趨勢，系統(tǒng)地闡述了其團隊在這一領(lǐng)域的研究基礎(chǔ)。她強調(diào)，盡管SiC功率半導體具有諸多優(yōu)勢，但在實際應用中仍面臨諸多挑戰(zhàn)，如材料內(nèi)部的缺陷可能導致器件失效或性能下降。因此，開發(fā)高效的缺陷檢測方法對于提升SiC功率半導體的整體性能至關(guān)重要。

華大半導體的技術(shù)分享與行業(yè)洞察

華大半導體的四位技術(shù)專家也在會上進行了精彩的分享，結(jié)合近期參加的國際專業(yè)會議ICSCRM上的熱點議題，他們就企業(yè)SiC MOSFET工藝、電動汽車用SiC MOSFET以及SiC材料領(lǐng)域的最新進展和挑戰(zhàn)進行了深入剖析。專家們一致認為，盡管SiC技術(shù)在近年來取得了顯著的進步，但要在大規(guī)模商業(yè)化應用中取得成功，還需要克服諸如成本控制、生產(chǎn)工藝優(yōu)化等一系列難題。

特別是在電動汽車領(lǐng)域，SiC MOSFET因其高效能、低損耗的特點被視為下一代電力電子器件的關(guān)鍵組件。然而，如何在保證高性能的同時降低成本，成為了業(yè)界關(guān)注的焦點。華大半導體的技術(shù)專家們分享了他們在這一領(lǐng)域的實踐經(jīng)驗，并提出了多項創(chuàng)新解決方案，旨在推動SiC MOSFET技術(shù)的進一步發(fā)展。

搭建高效交流平臺，促進產(chǎn)學研合作

本次研討會為華大半導體與湖南大學提供了一個高效的交流協(xié)作平臺，雙方展開了熱烈的討論與交流，氣氛活躍、互動頻繁，取得了良好的效果。通過這樣的學術(shù)交流活動，不僅可以促進高校與企業(yè)在科研成果轉(zhuǎn)化方面的合作，還能加速技術(shù)創(chuàng)新的步伐，共同攻克行業(yè)內(nèi)的關(guān)鍵難題。

未來，隨著更多類似的合作與交流活動的開展，相信SiC功率半導體技術(shù)將在設計、制造及應用等方面取得更大的突破，為推動我國乃至全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量。同時，這也為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和技術(shù)人員提供了寶貴的學習機會，有助于提升整個行業(yè)的技術(shù)水平和創(chuàng)新能力。通過持續(xù)不斷的探索與實踐，SiC功率半導體必將在更多的應用場景中展現(xiàn)出其獨特的優(yōu)勢，助力實現(xiàn)更加綠色、高效的能源利用方式。