為了加速開發(fā)具備出色能效和功率密度的氮化鎵（GaN）電源（PSU），意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)EVL250WMG1L。該設(shè)計(jì)旨在滿足空間有限且對(duì)能效有嚴(yán)格要求的工業(yè)應(yīng)用需求，通過整合先進(jìn)的GaN技術(shù)與優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路，為工程師提供了高效、緊湊的設(shè)計(jì)解決方案。

MasterGaN-SiP：集成與性能的完美結(jié)合

意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP技術(shù)在一個(gè)封裝內(nèi)集成了GaN功率晶體管與專門針對(duì)開關(guān)速度和控制精度進(jìn)行了優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。這種高度集成的設(shè)計(jì)不僅提高了電源的整體性能和可靠性，還顯著加快了設(shè)計(jì)周期，減少了PCB電路板的空間占用。相比傳統(tǒng)采用多個(gè)分立元件的方案，MasterGaN-SiP能夠更好地發(fā)揮GaN材料的優(yōu)勢(shì)，如更高的工作頻率、更低的損耗以及更小的尺寸。

EVL250WMG1L：高效緊湊的工業(yè)級(jí)電源參考設(shè)計(jì)

EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)采用了MasterGaN1L，內(nèi)置兩個(gè)650V 150mΩ GaN FET晶體管，并結(jié)合了意法半導(dǎo)體的L6599A諧振控制器。這一組合使得電源能夠在不使用原邊散熱器的情況下達(dá)到超過94%的峰值能效，極大簡(jiǎn)化了熱管理設(shè)計(jì)。此外，該電源還集成了意法半導(dǎo)體的SRK2001A同步整流控制器，進(jìn)一步提升了效率并縮小了整體尺寸至80mm x 50mm，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)每立方英寸34瓦（W/inch3）的功率密度。

這款電源的最大輸出電流可達(dá)10A，在24V直流電壓條件下，可提供250W的輸出功率。其待機(jī)電流低于1μA，體現(xiàn)了卓越的節(jié)能特性。為了確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性，L6599A和SRK2001A內(nèi)部集成了多種保護(hù)功能，包括過流保護(hù)、短路保護(hù)和過壓保護(hù)等，同時(shí)輸入電壓監(jiān)測(cè)機(jī)制保證了電源的安全啟動(dòng)及欠壓鎖定功能。

推動(dòng)工業(yè)電源技術(shù)創(chuàng)新

意法半導(dǎo)體推出的EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)，憑借其高效能、緊湊結(jié)構(gòu)和全面的安全特性，為工業(yè)級(jí)電源的應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。它不僅有助于減少能源消耗，還能有效降低設(shè)備體積和重量，適用于各種需要高性能電源解決方案的場(chǎng)合。隨著全球?qū)?jié)能減排的關(guān)注日益增加，這類創(chuàng)新產(chǎn)品將在未來(lái)的電力電子市場(chǎng)中扮演重要角色，推動(dòng)行業(yè)向更加環(huán)保、高效的未來(lái)發(fā)展。