上海貝嶺最新推出的150V屏蔽柵極晶體管（SGT MOSFET）系列產(chǎn)品，憑借其先進(jìn)的制造工藝和獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該系列器件采用了深溝槽、多層外延襯底及多重浮空環(huán)終端等技術(shù)，不僅實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏源間擊穿電壓，還通過優(yōu)化的屏蔽柵極結(jié)構(gòu)大幅降低了開關(guān)損耗。這些特性使得上海貝嶺150V SGT MOSFET在通信服務(wù)器電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)（BMS）以及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域中成為理想的選擇。

超低導(dǎo)通電阻

上海貝嶺150V SGT MOSFET系列中的BLP038N15型號(hào)，其導(dǎo)通電阻典型值僅為2.9mΩ，相較于市場(chǎng)上其他同類產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了23%。這種顯著的優(yōu)勢(shì)意味著更低的傳導(dǎo)損耗和更高的系統(tǒng)效率，特別是在大功率并聯(lián)應(yīng)用場(chǎng)景下，能夠確保優(yōu)異的一致性表現(xiàn)。

低FOM值

Figure of Merit（FOM），即性能品質(zhì)因數(shù)，是衡量MOSFET綜合性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，它結(jié)合了導(dǎo)通電阻和柵極總電荷兩個(gè)因素。上海貝嶺150V SGT MOSFET在保持超低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，有效地控制了柵極總電荷，從而獲得了非常低的FOM值。這一特性有助于加快器件的開關(guān)速度，減少功耗，提升整體性能。

多樣化封裝選擇

為了適應(yīng)不同應(yīng)用的需求，上海貝嶺提供了多種封裝形式，包括傳統(tǒng)的TO-220和TO-247插件封裝，以及適用于高功率密度設(shè)計(jì)的TOLL和TO-263-7貼片封裝。特別是TOLL封裝，相比TO-263減少了60%的體積占用，并節(jié)省了30%的PCB面積，為客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來更大的靈活性和成本效益。

優(yōu)良的抗電流沖擊能力

上海貝嶺150V SGT MOSFET具備出色的雪崩能力和低熱阻特性，這使其能夠在電機(jī)短路情況下提供強(qiáng)大的保護(hù)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。例如，在20kW電機(jī)控制器驗(yàn)證平臺(tái)中，采用BLP038N15的單相5管并聯(lián)方案，成功支持了高達(dá)96V的電池應(yīng)用，展示了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和高性能。

注：我司代理銷售上海貝嶺全系列IC電子元器件，如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。