現(xiàn)貨庫存,2小時發(fā)貨,提供寄樣和解決方案
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隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣計算的發(fā)展,設計人員正不斷探索新的架構來滿足日益增長的性能需求。為了支持更復雜的用例,如高端圖形處理、音頻處理或機器學習,越來越多的設計開始采用外部閃存作為擴展方案。這一趨勢不僅受到復雜應用需求的驅(qū)動,也得益于獨立內(nèi)存價格的顯著下降。使用外部存儲器可以有效擴展嵌入式系統(tǒng)中的代碼和數(shù)據(jù)空間,因為外部閃存能夠直接集成到MCU的存儲器映射中,實現(xiàn)直接讀取和用于數(shù)據(jù)記錄或軟件存儲及執(zhí)行。
對于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品制造商而言,采用外部閃存在高性能應用中帶來了諸多優(yōu)勢,包括存儲容量選擇的靈活性以及設計面向未來的可能性。當開發(fā)人員需要增加新功能時,只需簡單地更換為引腳兼容的大容量內(nèi)存,而無需重新設計整個電路板。此外,這種方法還允許制造商采用統(tǒng)一平臺策略,降低開發(fā)成本并加快上市速度。
然而,使用外部存儲器并非沒有挑戰(zhàn)。訪問外部存儲器會引入額外延遲,盡管可以通過使用四通道或八通道SPI接口以及精心管理緩存來緩解這一問題。同時,外部存儲器還會帶來輕微的功率消耗增加和額外的成本。在PCB設計方面,也需要考慮信號完整性和布線復雜性的問題。但這些挑戰(zhàn)并未阻礙其廣泛應用,尤其是在需要高帶寬和快速響應的應用場景下,如圖形、音頻處理和數(shù)據(jù)記錄。
對于微控制器(MCU)制造商來說,將MCU與存儲器分離意味著可以轉(zhuǎn)向更先進的工藝節(jié)點,從而提升性能、功能和能效,同時降低成本。因此,大多數(shù)MCU制造商現(xiàn)在都集成了四通道或八通道SPI接口,并支持就地執(zhí)行(XiP)功能,使得MCU能夠無縫連接NOR閃存器件。某些MCU還支持動態(tài)解密(DOTF),允許加密圖像安全地存儲在外置閃存中并導入執(zhí)行,確保了邊緣應用所需的高性能、低功耗和高級安全性。
瑞薩電子的RA系列MCU專為解決上述挑戰(zhàn)而設計,它們不僅集成了嵌入式閃存,還提供了多個與外部存儲器連接的接口選項,以實現(xiàn)最大的靈活性和性能。特別是,所有RA8系列MCU都配備了符合eXpanded串行外設接口(xSPI)標準的八通道SPI接口,該接口支持高達200MB/s的數(shù)據(jù)吞吐量,極大提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。這使得RA系列MCU特別適合于需要快速內(nèi)存訪問的應用,如圖形、音頻或數(shù)據(jù)記錄。例如RA8M1系列首款基于 Arm ? Cortex ? -M85 (CM85) 內(nèi)核的 32 位微控制器 (MCU),在 480 MHz 下提供超過 3000 CoreMark 點的突破性性能,具有完全確定性、低延遲、實時操作,可滿足客戶最苛刻的應用需求。這些是通用 MCU 設備,可滿足工業(yè)自動化、家用電器、智能家居、消費電子、樓宇/家居自動化和醫(yī)療/保健市場領域的各種高性能和計算密集型應用。
協(xié)議:遵循JEDEC標準JESD251(Profile 1.0和2.0)、JESD251-1和JESD252。
支持的存儲器類型:包括八通道閃存和RAM、HyperFlash和HyperRAM。
數(shù)據(jù)吞吐量:最高可達每秒200MB。
數(shù)據(jù)傳輸/接收:支持最多兩個從站通信,而非并發(fā)通信。
操作模式:支持就地執(zhí)行(XiP)。
工作模式:
SDR/DDR模式下的1/4/8針配置(例如,1S-1S-1S、4S-4D-4D、8D-8D-8D)。
SDR模式下的2/4針配置(例如,1S-2S-2S、2S-2S-2S、1S-4S-4S、4S-4S-4S)。
內(nèi)存映射:每個片選(CS)最多支持256MB地址空間,具備預取功能以減少突發(fā)讀取延遲,以及優(yōu)秀的緩沖區(qū)用于高吞吐量的突發(fā)寫入。
安全性:部分RA8 MCU支持動態(tài)解密(DOTF),增強了系統(tǒng)的安全性。
除了內(nèi)部閃存和外部存儲器接口外,RA8 MCU還包括緊密耦合存儲器(TCM)和I/D緩存,有助于進一步優(yōu)化性能。TCM是一種零等待狀態(tài)內(nèi)存,具有最低延遲,適用于存放代碼的關鍵部分。這種組合使RA系列MCU能夠在保證高性能的同時,提供靈活且可擴展的存儲解決方案。
內(nèi)部嵌入式閃存執(zhí)行:代碼存儲并在內(nèi)部嵌入式閃存中執(zhí)行,這種方式簡單、低延遲、高度安全且節(jié)能,但不具備擴展性。
外部閃存執(zhí)行(XiP):代碼存儲在外部flash中并在外部flash執(zhí)行,這是最靈活和可擴展的選擇,但可能會略微增加功耗和延遲。
外部閃存加載至內(nèi)部SRAM或TCM執(zhí)行:此方法提供最高性能,因為代碼是在快速的SRAM中執(zhí)行,不過受限于SRAM大小,并可能增加軟件復雜性和喚醒時間。
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