Nexperia（安世半導(dǎo)體），作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，近日宣布推出一系列采用創(chuàng)新銅夾片(Copper Clip) CCPAK1212封裝的16款新80V和100V功率MOSFET。這些器件憑借其領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能，旨在滿足電機(jī)控制、電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及其他耗電應(yīng)用的需求。

CCPAK1212封裝設(shè)計(jì)中的“CC”代表銅夾片，該結(jié)構(gòu)將功率MOSFET晶圓夾在兩片銅片之間，一側(cè)為漏極散熱片，另一側(cè)為源極夾片。這種無引線鍵合的設(shè)計(jì)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和寄生電感，提升了最大額定電流并改善了熱性能，使得這些器件能夠承載更高的電流，并在緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱管理。

其中一款標(biāo)桿產(chǎn)品PSMN1R0-100ASF是100V功率MOSFET，具有0.99 mΩ的超低導(dǎo)通電阻，能夠承載高達(dá)460 A的電流，達(dá)到1.55 kW的耗散功率，而僅占用12mm×12mm的電路板空間。此系列還包含了專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)，以確保在線性模式轉(zhuǎn)換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。

所有新型MOSFET均提供了頂部和底部兩種散熱選項(xiàng)，賦予工程師更大的靈活性，特別是在處理熱敏感設(shè)計(jì)時(shí)。此外，Nexperia已將CCPAK1212封裝注冊至JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織，參考編號(hào)MO-359，確保了市場的兼容性和客戶的信心。

Nexperia的產(chǎn)品部總經(jīng)理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場領(lǐng)先的性能，但我們意識(shí)到一些客戶可能對(duì)較新的封裝技術(shù)有所顧慮。通過向JEDEC注冊CCPAK1212，我們希望消除這些擔(dān)憂，正如我們在LFPAK MOSFET封裝上所做的那樣，這最終促進(jìn)了市場的積極響應(yīng)。”

為了進(jìn)一步簡化設(shè)計(jì)流程，Nexperia不僅提供了熱補(bǔ)償仿真模型等先進(jìn)設(shè)計(jì)工具，還將傳統(tǒng)PDF數(shù)據(jù)手冊升級(jí)為交互式版本，新增了“圖形轉(zhuǎn)csv”的功能，使工程師可以更方便地下載和分析關(guān)鍵特性數(shù)據(jù)，增強(qiáng)了設(shè)計(jì)選擇的信心。

展望未來，Nexperia計(jì)劃將CCPAK1212封裝擴(kuò)展到所有電壓范圍的功率MOSFET產(chǎn)品線，包括符合車規(guī)級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，以實(shí)現(xiàn)超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)的不斷變化需求。

這一系列新產(chǎn)品的推出，體現(xiàn)了Nexperia致力于推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步，為客戶提供更高效率、更可靠解決方案的承諾。

附采用CCPAK1212封裝型號(hào)具如下：

PSMN1R1-80ASF

PSMNR90-80ASE

PSMNR90-80ASF

PSMN1R2-80ASE

PSMN1R0-100ASE

PSMN1R0-100ASF

PSMN1R3-100ASF

PSMN1R4-100ASE

PSMN1R0-100CSF

PSMNR90-80CSF

PSMN1R4-100CSF

PSMN1R4-100CSE

PSMN1R1-100CSE

PSMN1R2-80CSE

PSMN1R0-80CSE

PSMN1R1-80CSF

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