基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，旨在提高服務(wù)器、電源、快速充電器、USB-PD以及其他電信、電機(jī)控制和工業(yè)設(shè)備中的效率和性能。

Nexperia發(fā)現(xiàn)，在比較MOSFET的開關(guān)性能時(shí)，除了低QG(tot)和低QGD外，Qrr（反向恢復(fù)電荷）也是一個(gè)重要的參數(shù)。通過專注于降低Qrr，Nexperia成功地減少了其NextPower系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，進(jìn)而降低了它們產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。這種改進(jìn)有助于減少在產(chǎn)品后期階段未能通過電磁兼容性(EMC)測(cè)試而需要重新設(shè)計(jì)的情況，從而避免了添加額外外部組件所帶來的高昂成本。

與市場(chǎng)上現(xiàn)有的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))降幅高達(dá)31%。Nexperia計(jì)劃在今年晚些時(shí)候進(jìn)一步加強(qiáng)其NextPower 80/100 V產(chǎn)品組合，發(fā)布一款新的LFPAK88 MOSFET，該器件在80 V下的RDS(on)可低至1.2 mΩ。此外，Nexperia還將在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。

為了支持這些器件的設(shè)計(jì)導(dǎo)入和驗(yàn)證，Nexperia提供了屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，為工程師提供了一個(gè)全面且易于使用的工具，幫助他們分析器件的行為。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等，以滿足不同應(yīng)用的需求。

通過這些新推出的MOSFET，Nexperia旨在為客戶提供高性能、高效率的解決方案，同時(shí)降低最終用戶的成本和復(fù)雜性，為市場(chǎng)帶來顯著的價(jià)值。