安森美（onsemi）憑借其在裸芯片性能、差異化封裝技術(shù)和模塊設(shè)計(jì)領(lǐng)域的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，成為了碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。該公司專注于第三代平面柵結(jié)構(gòu)碳化硅器件的研發(fā)，并在溝槽柵結(jié)構(gòu)方面持續(xù)探索，同時(shí)通過封裝技術(shù)的不斷迭代，以滿足不同應(yīng)用的需求。

SiC功率器件及封裝技術(shù)

安森美的SiC功率器件涵蓋了SiC MOSFET、SiC二極管以及全SiC和混合SiC模塊。這些器件采用了差異化的壓鑄模封裝，并且SiC工藝平臺(tái)已經(jīng)從M1的方形元胞結(jié)構(gòu)、M2的六邊形元胞結(jié)構(gòu)發(fā)展到了M3的條形元胞結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)迭代帶來了在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)損耗以及短路時(shí)間等關(guān)鍵性能指標(biāo)上的顯著改進(jìn)，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了成本的優(yōu)化。

功率模塊及先進(jìn)封裝

通過采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，如銀燒結(jié)和壓鑄模雙面水冷等，安森美實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度的功率模塊。這些模塊被應(yīng)用于車載充電器、主驅(qū)逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，有效優(yōu)化了能源使用，延長了電池壽命，并確保了車輛電氣系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。特別值得一提的是，安森美推出的Top Cool MOSFET將散熱焊盤移至頂部，使得散熱器可以直接焊接到器件上，這不僅提高了MOSFET的散熱性能，還允許在PCB的下側(cè)布置更多元件，從而提高了功率密度并簡化了設(shè)計(jì)。

VE-Trac Dual：優(yōu)化牽引逆變器性能

VE-Trac Dual是安森美專為插電式混合動(dòng)力車（PHEV）、完全混合動(dòng)力車（HEV）、純電池車（BEV）和燃料電池電動(dòng)車（FCEV）設(shè)計(jì)的電源模塊。它針對(duì)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了雙面冷卻技術(shù)，進(jìn)而獲得了高功率密度和緊湊的尺寸。逆變器作為電力傳動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，其性能直接影響電動(dòng)車的整體能效和續(xù)航里程。通過VE-Trac Dual，安森美旨在進(jìn)一步提高電動(dòng)車的能效。

主驅(qū)電源封裝技術(shù)的發(fā)展

按照規(guī)劃，安森美將在2023年中期將其主驅(qū)電源封裝技術(shù)從雙面間接水冷過渡到直接水冷模式，并預(yù)計(jì)到2023年底實(shí)現(xiàn)雙面直接水冷，2024年中期將進(jìn)一步優(yōu)化為雙面直接水冷+方案。這一系列的技術(shù)進(jìn)步旨在不斷降低器件的熱阻。

仿真工具支持快速開發(fā)

為了幫助電力電子工程師節(jié)省時(shí)間和成本，安森美還提供了針對(duì)EliteSiC系列及應(yīng)用的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具。這些工具使工程師能夠在開發(fā)周期的早期階段，通過對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真來獲取有價(jià)值的信息，適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用、邊界建模和自定義寄生環(huán)境。