英飛凌PCS中使用的常見拓撲結構及相關電子元器件

來源：英飛凌官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-07-31 14:00:01 瀏覽量：

英飛凌PCS中使用的常見拓撲結構強調(diào)了對各種功率半導體的要求，從晶閘管和二極管到IGBT和MOSFET，工作電壓和電流范圍很廣。英飛凌全面的功率半導體產(chǎn)品組合（見圖1）可一站式滿足所有功率半導體需求。它涵蓋了從幾千瓦到幾兆瓦所有功率的交流和直流耦合拓撲(射頻，無線電信號)頻譜的全部性能。

英飛凌的功率半導體產(chǎn)品組合涵蓋了各種交流和直流耦合拓撲的全部性能范圍[10]

英飛凌的產(chǎn)品組合包括以下器件：

■ 晶閘管

晶閘管整流器通常用于大電流（>1兆瓦）、交流耦合應用。英飛凌提供各種適用于大功率、大電流整流器的晶閘管。此外，還包括一系列平板型相控晶閘管和模塊。功率圓盤可雙面冷卻，具有出色的電流密度和可靠性。英飛凌提供帶111毫米圓盤的預制風冷堆棧和帶120毫米圓盤的5兆瓦水冷堆棧。預制堆棧和模塊化機柜設計可簡化整流器設計，縮短上市時間。T3841N18就是用于高能量設計的大電流晶閘管的一個例子。

T3841N18，平板型晶閘管

圖1.T3841N18，平板型晶閘管

■ IGBT

IGBT可用于AFE、MMC、交錯降壓和DAB拓撲。英飛凌廣泛的IGBT產(chǎn)品包括一系列封裝，從小功率（分立和Easy）到中等功率（EconoDUAL?和62mm）和高功率（PrimePACK?、IHV）。電解應用通常需要大直流電流，英飛凌在每個封裝中都提供大電流模塊。例如，IKY140N120CH7采用基于IGBT7技術的TO-247PLUS封裝，電流為140A；FF800R12KE7采用類似技術，電流為800A，采用標準62mm封裝。對于AFE拓撲結構，較大的二極管是有益的，因為轉(zhuǎn)換器是作為整流器運行的。在此，英飛凌提供增強二極管模塊，如針對整流進行優(yōu)化的FF1700XTRIE5D。

對于接近低電壓指令規(guī)定的1500VDC極限的解決方案，英飛凌憑借FF1800R23IE7在市場上處于領先地位。

IGBT

■ SiC MOSFET

SiC MOSFET對于DAB和高開關頻率應用尤其具有吸引力。英飛凌的產(chǎn)品組合包括各種SiC MOSFET。它已經(jīng)涵蓋了1500VDC的細分市場，并提供各種封裝的2kV SiC模塊例如，IMYH200R012M1H只有12mΩ，采用專為1500 VDC應用設計的TO-247-4-PLUS-HCC封裝。在更標準的封裝（如62毫米）中，英飛凌的產(chǎn)品系列包括1.2KV電壓的2mΩ FF2MR12KM1H和2kV電壓的3mΩ FF3MR20KM1H。

英飛凌還提供FF2000XTR33T2M1，這是一款3.3kV 2mΩ SiC，，采用低電感XHP2封裝。該模塊具有獨特的3μs短路耐受能力。

SiC MOSFET