在當(dāng)今科技時(shí)代，電子元器件如今已成為日常生活中不可或缺的一部分，其中的芯片在各個(gè)領(lǐng)域均發(fā)揮著重要作用。作為保護(hù)和增強(qiáng)芯片功能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，芯片封裝對(duì)確保芯片內(nèi)部微電路的高效運(yùn)行至關(guān)重要，這也為穩(wěn)定的電子設(shè)備運(yùn)行提供了保障。

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）是一家專注于功率半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè)，其小型CSP封裝MOSFET產(chǎn)品已成功輸出達(dá)四十億顆。充電頭網(wǎng)獨(dú)家采訪了AOS市場(chǎng)部副總裁馮雷博士，深入探討AOS公司CSP產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，特別關(guān)注最新的MRigid CSP技術(shù)、以及快充電池保護(hù)芯片領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)。

MRigid CSP 封裝技術(shù)：

當(dāng)下，在高端手機(jī)電池保護(hù)市場(chǎng)上，CSP封裝技術(shù)已經(jīng)變得相當(dāng)普遍。然而，隨著芯片尺寸的不斷減小和功能的不斷整合，傳統(tǒng)CSP封裝技術(shù)在機(jī)械強(qiáng)度和性能等方面已顯不足，這就催生了AOS最新推出的MRigid CSP封裝技術(shù)的問(wèn)世。

馮雷博士解釋道：“傳統(tǒng)CSP由于結(jié)構(gòu)限制，難以兼顧低導(dǎo)通內(nèi)阻和機(jī)械強(qiáng)度的雙重性能要求。AOS的MRigid CSP技術(shù)通過(guò)先進(jìn)的晶圓工藝和超薄芯片加工，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通內(nèi)阻；同時(shí)，背面強(qiáng)化結(jié)構(gòu)解決了機(jī)械強(qiáng)度問(wèn)題。這種前沿制程完美結(jié)合了導(dǎo)通內(nèi)阻和機(jī)械強(qiáng)度的需求，為客戶提供了更小、更高效、更可靠的解決方案。”

MRigid CSP技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于允許更薄的襯底，降低寄生電阻，為高電流充電提供更低電阻路徑。同時(shí)，為了確保機(jī)械強(qiáng)度在PCB組裝和產(chǎn)品生命周期中的穩(wěn)定，MRigid CSP封裝減少了翹曲，引入專門(mén)的背面強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，確保MOSFET組件的耐久性。這種技術(shù)滿足了快速充電移動(dòng)設(shè)備對(duì)更小型、高性能、雙向MOSFET的日益增長(zhǎng)需求。通過(guò)解耦設(shè)計(jì)要求，設(shè)計(jì)者能更靈活地進(jìn)行參數(shù)設(shè)定，實(shí)現(xiàn)了機(jī)械與電氣性能的有效平衡。

相較于傳統(tǒng)CSP，在相同導(dǎo)通內(nèi)阻下，MRigid CSP的尺寸可減少33%以上；與同規(guī)格、同內(nèi)阻產(chǎn)品相比，MRigid CSP的機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)勢(shì)更勝7倍，高溫回流焊后的器件翹曲度更低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手3倍以上。這一創(chuàng)新為客戶提供了更高效、更穩(wěn)定的解決方案，提高了充電效率、降低了電池溫升，并大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)過(guò)程中處理超薄CSP芯片的難度，避免了焊接問(wèn)題的發(fā)生。