在追求芯片制程技術(shù)的極限道路上，英特爾近日再次展現(xiàn)出其前瞻視野與積極態(tài)度。作為芯片制造領(lǐng)域的巨頭，英特爾在最新一代極紫外（EUV）光刻機的采購上表現(xiàn)出了尤為積極的態(tài)勢。該公司宣布已啟動阿斯麥（ASML）高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機的組裝工作，旨在應(yīng)對1.8nm以下制程技術(shù)的挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，這款光刻機是專為生產(chǎn)2nm及以下芯片而設(shè)計的，其數(shù)值孔徑（NA）從傳統(tǒng)的0.33提升至0.55，這一關(guān)鍵技術(shù)的突破對于實現(xiàn)更小尺寸的晶體管至關(guān)重要，從而支持2nm及以下工藝節(jié)點的芯片制造。英特爾光刻主管馬克·菲利普斯表示：“我們在決定購買這些設(shè)備時就已經(jīng)認可了它們的價值。現(xiàn)在我們擁有了期待已久的新一代極紫外光刻機，我們不想再犯過去的錯誤。”

事實上，英特爾在極紫外光刻技術(shù)的開發(fā)上曾有所貢獻，但在應(yīng)用阿斯麥首款極紫外光刻機方面卻晚于競爭對手臺積電。這一滯后使得英特爾在先進芯片工藝產(chǎn)能上落后于臺積電、三星等廠商，甚至不得不將部分晶圓生產(chǎn)外包給包括臺積電在內(nèi)的其他代工廠。這一經(jīng)歷讓英特爾深刻反思，并加速了其在新一代EUV光刻機采購上的步伐。

根據(jù)規(guī)劃，英特爾計劃在2024年量產(chǎn)2nm制程芯片，并在2025年實現(xiàn)1.8nm制程的量產(chǎn)。為了實現(xiàn)這一目標，英特爾不僅加大了對光刻技術(shù)的研發(fā)投入，還積極采購了阿斯麥的高數(shù)值孔徑EUV光刻機。據(jù)悉，該設(shè)備的售價高達3.5億歐元（約合27億元人民幣），但英特爾顯然認為這是一筆值得的投資。

值得一提的是，英特爾并非唯一一家訂購這款先進光刻機的企業(yè)。臺積電、三星、SK海力士和美光等廠商也都加入了采購行列。然而，由于該設(shè)備的運輸和安裝過程可能長達六個月，英特爾此次的迅速行動已經(jīng)使其在競爭對手中取得了明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢。

展望未來，ASML計劃在未來幾年內(nèi)將此類芯片制造設(shè)備的產(chǎn)能提高到每年20臺，以滿足全球市場對先進制程技術(shù)的旺盛需求。英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中的6臺設(shè)備，這進一步彰顯了其對于保持技術(shù)領(lǐng)先地位的決心。

此次英特爾率先開始組裝新一代EUV光刻機，不僅標志著其在技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略上邁出了重要一步，也為其在全球半導(dǎo)體市場競爭中保持領(lǐng)先地位奠定了堅實基礎(chǔ)。通過引進這一先進的光刻機，英特爾將進一步推動2nm及以下工藝節(jié)點芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，為未來的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展注入新的活力。