Vishay（威世）最近發(fā)布了新型的第四代650V E系列功率MOSFET，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用的能效和功率密度。其中，Vishay Siliconix的n溝道SiHP054N65E功率MOSFET相比前代產(chǎn)品，降低了48.2%的導(dǎo)通電阻，并將導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降了59%。這個(gè)參數(shù)被認(rèn)為是650V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。

Vishay擁有豐富的MOSFET技術(shù)，廣泛支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程，包括從高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。通過(guò)推出SiHP054N65E以及其他第四代600V E系列器件，Vishay能夠在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)的早期滿足提高能效和功率密度的需求，包括功率因數(shù)校正（PFC）和后續(xù)的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。這些器件在服務(wù)器、邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UPS、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器、太陽(yáng)能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池充電器等典型應(yīng)用中發(fā)揮作用。

SiHP054N65E采用了Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，其在10V下的典型導(dǎo)通電阻僅為0.051Ω，從而提高了對(duì)2kW以上各種應(yīng)用的額定功率支持，并滿足了符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)的要求。此外，這款MOSFET的超低柵極電荷下降到了72nC。器件的FOM為3.67Ω*nC，比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低1.1%。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而實(shí)現(xiàn)了節(jié)能效果，提高了能效。該器件還滿足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求，或者使通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

此外，最近發(fā)布的MOSFET的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)的典型值分別僅為115pF和772pF，可以改善硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設(shè)計(jì)。該器件的電阻與Co(tr)乘積FOM降至5.87Ω*pF，達(dá)到了行業(yè)先進(jìn)水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt的耐用性，符合RoHS和Vishay的綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，能夠耐受雪崩模式下的電壓瞬變，并通過(guò)了100%的UIS測(cè)試。