英飛凌DF4-19MR20W3M1HF_B11是首款采用EasyPACK? 3B封裝的2000V CoolSiC? MOSFET功率模塊，專為簡化解決方案、提高功率密度并降低1500 VDC應用的總系統成本而設計。該模塊不僅具備4路Boost升壓電路，還采用了最新的CoolSiC? M1H芯片技術，提供了卓越的性能和靈活性。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹英飛凌DF4-19MR20W3M1HF_B11產品優(yōu)勢、應用領域及原理圖。

DF4-19MR20W3M1HF_B11產品優(yōu)勢

緊湊設計與高效能

DF4-19MR20W3M1HF_B11模塊采用了Easy 3B封裝，集成了最新的CoolSiC? M1H芯片，使其在2000V電壓下具備與1200V M1H系列相同的性能和優(yōu)勢。其特點包括在125°C時RDSon降低12%，更寬的柵源電壓區(qū)（+15...+18V和0...-5V），以及更高的最大結溫（175°C）。此外，芯片尺寸更小，進一步提升了功率密度。

產品特性與優(yōu)勢

DF4-19MR20W3M1HF_B11的主要特性包括：

2000V CoolSiC? MOSFET：增強的第一代產品，提供更高的電壓處理能力。

Easy 3B封裝：緊湊且易于集成的設計，適用于多種應用場景。

4路升壓電路：優(yōu)化了光伏升壓電路的應用，提高了系統的整體效率。

擴展的柵極驅動電壓窗口：推薦的柵極驅動電壓范圍從+15...+18V和0...-5V，增加了設計的靈活性。

更高的最大柵極-源極電壓：支持+23V和-10V的最大柵極-源極電壓，確保了更高的可靠性和穩(wěn)定性。

過載條件下的高Tvjop：最高可達175°C的結溫，適應惡劣的工作環(huán)境。

PressFIT壓接針：簡化安裝過程，增強了連接的可靠性。

這些特性共同提升了DF4-19MR20W3M1HF_B11的整體性能，使其成為工程師們在設計過程中值得信賴的選擇。

應用價值與設計便利性

DF4-19MR20W3M1HF_B11的優(yōu)勢在于其顯著減少了所需器件的數量，同時提高了功率密度。通過使用最新的CoolSiC?技術，用戶可以完全自由地選擇關斷時的柵極電壓，從而實現更高的設計靈活性。此外，與1700V相比，FIT率降低了10倍，因為減少了宇宙射線引起的故障率，進一步提升了系統的可靠性。

該模塊還減少了由動態(tài)分量引起的漂移，確保了長期穩(wěn)定的運行。對于需要高性能和高可靠性的應用，如光伏升壓電路，DF4-19MR20W3M1HF_B11提供了理想的解決方案。

DF4-19MR20W3M1HF_B11應用領域

DF4-19MR20W3M1HF_B11廣泛應用于多個領域：

光伏升壓電路：其高效的Boost升壓電路設計，特別適合于光伏系統的應用，提升了能量轉換效率。

工業(yè)電源：在工業(yè)電源系統中，該模塊通過其高可靠性和靈活性，提供了強大的電力支持。

電動工具：在無線電動工具中，DF4-19MR20W3M1HF_B11的高性能和高可靠性確保了設備的長期穩(wěn)定運行。

家電：在家用電器如微波爐中，該模塊通過其強大的保護功能和靈活的設計選項，提高了設備的安全性和效率。

DF4-19MR20W3M1HF_B11原理圖

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