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英飛凌推出CoolMOS S7系列高壓超結(jié)MOSFET,助力高性能電源設(shè)計

來源:英飛凌| 發(fā)布日期:2023-08-01 13:59:18 瀏覽量:

在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計的關(guān)鍵目標(biāo)是降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能,并實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計,同時還要以低成本實現(xiàn)高質(zhì)量。為了滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份公司正在擴大其CoolMOS? S7系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET的產(chǎn)品陣容。這一系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器(SSR)、電機啟動器和固態(tài)斷路器,以及可編程邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和(混動)電動汽車車載充電器等多種應(yīng)用。

英飛凌推出CoolMOS S7系列高壓超結(jié)MOSFET,助力高性能電源設(shè)計

在這次產(chǎn)品組合的重要擴充中,英飛凌引入了創(chuàng)新的QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,為較小的封裝尺寸提供了豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開關(guān)應(yīng)用中具備明顯的優(yōu)勢,并且能夠降低成本。采用新型大功率QDPAK封裝,該器件的導(dǎo)通電阻僅為10 mΩ,在市場上處于同等電壓級別產(chǎn)品中和采用SMD封裝產(chǎn)品中的最低水平。CoolMOS S7/S7A解決方案通過最大程度地降低MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗,提高整體效率,并提供了一種簡單易用且經(jīng)濟高效的方式來提升系統(tǒng)性能。

CoolMOS S7電源開關(guān)還通過改進的熱阻有效地管理散熱,采用創(chuàng)新高效的QDPAK封裝,減少甚至消除了對散熱器的需求,從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便。該系列MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式,均能夠抵御高脈沖電流,并應(yīng)對突然的浪涌電流。此外,該系列MOSFET產(chǎn)品還具備體二極管的穩(wěn)健性,能夠確保在交流線路換向期間的可靠運行。

由于CoolMOS? S7系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET所需的元器件較少,能夠減少零部件的數(shù)量,實現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成,降低BOM(材料清單)成本和總體擁有成本(TCO)。同時,該系列MOSFET產(chǎn)品還能縮短反應(yīng)時間,在斷開電流時表現(xiàn)更加平穩(wěn)、高效。

英飛凌科技股份公司通過擴大CoolMOS S7系列高壓超結(jié)MOSFET的產(chǎn)品陣容,為電源設(shè)計提供了更多選擇。這一系列產(chǎn)品的高性能和創(chuàng)新特性將有助于推動各種應(yīng)用領(lǐng)域的高效能電源設(shè)計。


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