瑞薩電子與Transphorm2024年1月12日宣布已達(dá)成最終協(xié)議，將以每股5.10美元現(xiàn)金收購全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.的所有已發(fā)行普通股。這一收購協(xié)議對Transphorm的估值約為3.39億美元，溢價幅度分別為35%、56%和78%。此次收購將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動汽車、計算、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍。

隨著對高效電力系統(tǒng)的需求不斷增加，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進(jìn)材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。在此背景下，瑞薩已宣布建立一條內(nèi)部SiC生產(chǎn)線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

此次收購將進(jìn)一步擴(kuò)展瑞薩的WBG產(chǎn)品陣容，利用Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識，以滿足GaN的高開關(guān)頻率、低功率損耗和小外形尺寸等優(yōu)勢，為客戶提供更高效、更小、更輕、成本更低的解決方案。根據(jù)行業(yè)研究，GaN的需求預(yù)計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。

瑞薩電子首席執(zhí)行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來自加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊所領(lǐng)導(dǎo)的公司。Transphorm GaN技術(shù)的加入增強(qiáng)了我們在IGBT和Si

MOSFET等傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的產(chǎn)品線，使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁└娴母咝阅茈娏鉀Q方案。我們期待通過這一收購加速我們在WBG材料領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品布局，進(jìn)一步鞏固在電動汽車、計算、可再生能源和工業(yè)電源等領(lǐng)域的市場地位。”

Transphorm的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Primit Parikh表示：“我們很高興能夠成為瑞薩電子的一部分。瑞薩是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，與我們在GaN技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)知識和創(chuàng)新理念相輔相成。這一收購將為Transphorm帶來更多資源和機(jī)會，加速我們的產(chǎn)品創(chuàng)新和市場拓展。同時，這也為我們的團(tuán)隊提供了更廣闊的發(fā)展平臺，我們期待著在瑞薩的支持下，繼續(xù)推動GaN技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用。”

雙方預(yù)計，該交易將于2024年第一季度完成，前提是Transphorm股東的批準(zhǔn)以及符合一定的慣例和法規(guī)審批條件。該交易不受瑞薩的融資條件限制，瑞薩將通過現(xiàn)金支付來完成收購。

總之，瑞薩電子收購Transphorm將為其在WBG材料領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品布局提供強(qiáng)大支持，進(jìn)一步鞏固其在電動汽車、計算、可再生能源和工業(yè)電源等領(lǐng)域的市場地位，為客戶提供更具競爭力的解決方案，同時也為Transphorm的團(tuán)隊提供了更廣闊的發(fā)展平臺。這一舉措將為瑞薩和Transphorm帶來可觀的價值和機(jī)遇，為雙方未來的發(fā)展奠定堅實(shí)基礎(chǔ)。