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場效應管中的PN結雪崩效應和隧穿效應的發(fā)生條件及擊穿機理

來源：中芯巨能| 發(fā)布日期：2023-07-20 10:33:42 瀏覽量：

場效應管是一種半導體器件，其工作原理基于PN結的雪崩效應和隧穿效應。

1.場效應管PN結的雪崩效應和發(fā)生雪崩效應的條件

雪崩效應（Avalanche Breakdown）：

場效應管中的雪崩效應與普通的PN結雪崩效應類似。當場效應管的柵極與源極之間的電壓增大到一定程度時，由于電場強度增大，會導致柵極結區(qū)域的PN結發(fā)生雪崩效應。這會導致電流迅速增大，從而使場效應管失去反向擊穿。

場效應管中的PN結雪崩效應和隧穿效應的發(fā)生條件及擊穿機理

發(fā)生雪崩效應的條件：

- 柵極與源極之間的反向電壓超過場效應管的擊穿電壓。

- 柵極結區(qū)域具有足夠高的電場強度，可以加速電子和空穴的碰撞。

2.場效應管PN結的隧穿效應和發(fā)生隧穿效應的條件

 隧穿效應（Tunneling Effect）：

場效應管中的隧穿效應與普通的PN結隧穿效應類似。當場效應管的柵極與源極之間的正向電壓增大到一定程度時，由于柵極與源極之間的勢壘減小，電子可以通過勢壘隧穿到導體中。這種通過勢壘的隧穿現(xiàn)象稱為隧穿效應。隧穿效應會導致電流迅速增大，從而使場效應管失去正向擊穿。

發(fā)生隧穿效應的條件：

- 柵極與源極之間的正向電壓超過場效應管的擊穿電壓。

- 柵極與源極之間的勢壘高度足夠低，使得電子能夠通過勢壘發(fā)生隧穿。

總的來說，場效應管的PN結雪崩效應和隧穿效應與普通的PN結器件類似，但其具體的擊穿機理和條件會受到場效應管的結構和工作原理的影響。在設計和使用場效應管時，需要注意避免超過擊穿電壓，以保證器件的正常工作。



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