2N7002LT1G是ON安森美一款N溝道MOS場效應(yīng)管，采用SOT-23封裝，具有小尺寸、低功耗的特點。它適用于各種低功耗、中等功率的放大和開關(guān)電路設(shè)計。現(xiàn)貨供應(yīng)NO安森美旗下電子元器件供應(yīng)商-中芯巨能將為大家提供2N7002LT1G中文參數(shù)、功能特點、應(yīng)用領(lǐng)域和引腳圖。

一、2N7002LT1G中文參數(shù)

品牌：安森美

系列：場效應(yīng)管

描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：115mA（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：7.5 歐姆 @ 500mA，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

功率耗散（最大值）：225mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-23-3（TO-236）

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二、2N7002LT1G功能特點

1. N溝道MOS場效應(yīng)晶體管：適用于各種通用放大和開關(guān)電路設(shè)計。

2. 小封裝尺寸：采用SOT-23封裝，適合于緊湊空間的表面安裝設(shè)計。

3. 低功耗：適用于低功耗電子設(shè)備和系統(tǒng)的設(shè)計。

4. 高頻特性：具有良好的高頻特性，適合于高頻放大電路設(shè)計。

三、2N7002LT1G應(yīng)用領(lǐng)域

2N7002LT1G廣泛應(yīng)用于各種低功耗、中等功率的放大和開關(guān)電路中，包括但不限于以下領(lǐng)域：

1. 電源管理：如低壓開關(guān)電源、DC-DC變換器等的控制電路設(shè)計。

2. 信號開關(guān)：如模擬信號開關(guān)、數(shù)字信號開關(guān)等的電路設(shè)計。

3. 電流控制：如電流限制器、電流源等的電路設(shè)計。

4. 逆變器：如逆變器、驅(qū)動器等的電路設(shè)計。

四、2N7002LT1G引腳圖